【技术实现步骤摘要】
用于控制半导体装置中的驱动信号的设备和方法
本申请案涉及用于控制半导体装置中的驱动信号的设备和方法。
技术介绍
由动态随机存取存储器(DRAM)表示的半导体存储器装置包含存储器单元阵列，其具有安置于字线与位线之间的相交点处的存储器单元。半导体存储器装置可包含阶层结构化的主字线和子字线。主字线(MWL)是定位于上部阶层处的字线，且通过行地址的第一部分来选择。子字线是定位于下部阶层处的字线，且基于对应主字线和通过行地址的第二部分选择的字驱动器线(FXL)来选择。例如DRAM等半导体存储器装置中包含的存储器单元阵列可经划分成多个存储器片块以减少子字线和位线的布线电容。每一存储器片块包含相应主字线，使得当使用行地址的第一部分选择主字线时，也同时确定将选择的存储器片块。子字线的驱动过程由子字驱动器实行，且当将子字线驱动到高电平电压时，存储器单元耦合到对应位线。另一方面，在其中将子字线驱动低电平电压的周期期间，存储器单元和位线保持于截止状态。低电平电压与低逻辑电平相关联。在将子字线驱动到高电平电压时，将相对高电压提供到存...
【技术保护点】
1.一种设备，其包括：/n子字线，其耦合到多个存储器单元；/n字驱动器电路，其经配置以提供第一驱动信号和第二驱动信号，所述第一驱动信号当处于作用中状态时具有第一电压且当处于非作用中状态时具有中间电压，且所述第二驱动信号当处于作用中状态时具有第二电压且当处于非作用中状态时具有所述第一电压，其中所述中间电压在所述第一电压与所述第二电压之间；/n子字驱动器电路，其耦合到所述子字线和所述字驱动器电路，所述子字驱动器电路经配置以接收所述第一驱动信号和所述第二驱动信号且基于所述第一驱动信号驱动所述子字线。/n
【技术特征摘要】
20190424 US 16/393,7191.一种设备，其包括：
子字线，其耦合到多个存储器单元；
字驱动器电路，其经配置以提供第一驱动信号和第二驱动信号，所述第一驱动信号当处于作用中状态时具有第一电压且当处于非作用中状态时具有中间电压，且所述第二驱动信号当处于作用中状态时具有第二电压且当处于非作用中状态时具有所述第一电压，其中所述中间电压在所述第一电压与所述第二电压之间；
子字驱动器电路，其耦合到所述子字线和所述字驱动器电路，所述子字驱动器电路经配置以接收所述第一驱动信号和所述第二驱动信号且基于所述第一驱动信号驱动所述子字线。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述字驱动器电路包括：
电压电路，其耦合经配置以提供所述中间电压；以及
晶体管，其耦合到所述电压电路且耦合到其上提供所述第一驱动信号的第一信号线，所述晶体管经配置以当被激活时将所述中间电压提供到所述第一信号线。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述电压电路包括耦合到所述晶体管且耦合到参考电压的二极管耦合式晶体管。
4.根据权利要求3所述的设备，其中子字驱动器包括耦合到所述第一信号线且耦合到所述子字线的第二晶体管，其中所述二极管耦合式晶体管匹配于所述第二晶体管。
5.根据权利要求2所述的设备，其中所述二极管耦合式晶体管包括二极管耦合式p沟道晶体管。
6.根据权利要求2所述的设备，其中所述电压电路被内部电压电路提供所述中间电压。
7.根据权利要求2所述的设备，其中所述电压电路包括耦合到所述晶体管且具有经配置以接收偏置电压的栅极的第二晶体管，其中所述中间电压是所述偏置电压和所述第二晶体管的阈值电压的总和。
8.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电压是电力供应电压且所述第二电压是接地。
9.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一驱动信号与所述第二驱动信号互补。
10.一种设备，其包括：
多个字驱动器，其各自经配置以基于内部激活信号和驱动器激活信号在第一信号线上提供第一驱动信号且在第二信号线上提供第二驱动信号，其中所述多个字驱动器中的每一个进一步经配置以响应于作用中内部激活信号和作用中驱动器激活信号而提供具有高电平电压的所述第一驱动信号且提供具有低电平电压的所述第二驱动信号，且响应于所述内部激活信号从作用中转变到非作用中状态而耦合相应所述第一信号线与所述多个字驱动器中的其它字驱动器的所述第一信号线以提供电荷共享；
预充电电路，其耦合到所述多个字驱动器且经配置以将预充电电压提供到所述多个字驱动器以用...
【专利技术属性】
技术研发人员：铃木尊雅，山本展生，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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