【技术实现步骤摘要】
锂电池上电自恢复保护控制电路、保护电路和保护装置
本专利技术实施例涉及锂电池保护
,尤其涉及一种锂电池上电自恢复保护控制电路、保护电路和保护装置。
技术介绍
随着科技的进步,以锂电池作为供电装置的手机、电子烟、移动电源、TWS(真无线立体音)耳机、智能手环手表、智能玩具、ETC(电子不停车收费系统)等电子产品得到了普及。现有技术中大量应用锂电池保护电路是和负载电路、充电电路组装在一起的,该组装完成后,最后组装电池,电池上电时锂电池保护电路可能处于锁死状态,锂电池不能正常放电使用,需要充电激活后才能正常使用,这样导致生产测试环节带来额外的成本;同时对于可拆卸电池的应用,组装好电池后自锁,需要找充电器充电激活才能使用,导致客户体验不好。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种锂电池上电自恢复保护控制电路、保护电路和保护装置,以实现在锂电池上电时能够自动恢复至正常放电状态。第一方面,本专利技术实施例提供了一种锂电池上电自恢复保护控制电路,包括:上电延时电路、驱动电路、逻辑电路、第一 ...
【技术保护点】
1.一种锂电池上电自恢复保护控制电路,其特征在于,包括:上电延时电路、驱动电路、逻辑电路、第一晶体管和状态切换电路;所述上电延时电路的输入端接入第一电源电压,所述上电延时电路的输出端与所述逻辑电路的第一输入端连接,所述逻辑电路的第二输入端输入保护控制信号,所述逻辑电路的输出端与所述驱动电路的输入端连接,所述驱动电路的输出端与所述第一晶体管的栅极连接,所述状态切换电路的第一端与锂电池的正极连接,所述状态切换电路的第二端与所述第一晶体管的第一极连接,所述第一晶体管的第二极与所述锂电池的负极连接;/n所述上电延时电路包括第一充电电路、第二充电电路、第一信号输出电路、第二信号输出电 ...
【技术特征摘要】
1.一种锂电池上电自恢复保护控制电路,其特征在于,包括:上电延时电路、驱动电路、逻辑电路、第一晶体管和状态切换电路;所述上电延时电路的输入端接入第一电源电压,所述上电延时电路的输出端与所述逻辑电路的第一输入端连接,所述逻辑电路的第二输入端输入保护控制信号,所述逻辑电路的输出端与所述驱动电路的输入端连接,所述驱动电路的输出端与所述第一晶体管的栅极连接,所述状态切换电路的第一端与锂电池的正极连接,所述状态切换电路的第二端与所述第一晶体管的第一极连接,所述第一晶体管的第二极与所述锂电池的负极连接;
所述上电延时电路包括第一充电电路、第二充电电路、第一信号输出电路、第二信号输出电路和存储模块;
所述第一充电电路的输入端和所述第二充电电路的输入端均接入所述第一电源电压,所述第一充电电路的输出端与所述存储模块的第一端连接,所述存储模块的第二端接地;所述第二充电电路的输出端与所述存储模块的第一端连接,所述第二充电电路的控制端与所述第一信号输出电路的输出端连接,所述第一信号输出电路的输入端接入所述第一电源电压,所述第一信号输出电路的控制端与所述存储模块的第一端连接,所述第一信号输出电路用于根据所述存储模块第一端的存储电压生成第一控制信号并从其输出端输出;
所述第二信号输出电路的输入端与所述第一信号输出电路的输出端连接,所述第二信号输出电路的输出端与所述逻辑电路的第一输入端连接,所述第二信号输出电路用于根据所述第一控制信号生成第二控制信号,并从其输出端输出至所述逻辑电路的第一输入端,所述逻辑电路用于根据所述第二控制信号和所述保护控制信号控制所述第一晶体管的导通或关断。
2.根据权利要求1所述的锂电池上电自恢复保护控制电路,其特征在于,所述存储模块包括第二晶体管,所述第一充电电路包括N个第三晶体管,所述N个第三晶体管依次串联,N个所述第三晶体管的栅极均接地,第一个所述第三晶体管的第一极接入所述第一电源电压,第二个所述第三晶体管的第一极与第一个所述第三晶体管的第二极连接,第K个所述第三晶体管的第二极与第K+1个所述第三晶体管的第一极连接,第N个所述第三晶体管的第一极与第N-1个所述第三晶体管的第二极连接,第N个所述第三晶体管的第二极与所述第二晶体管的栅极连接,所述第二晶体管的第一极和第二极均接地,其中,1≤K≤N-1,K和N均为整数。
3.根据权利要求1所述的锂电池上电自恢复保护控制电路,其特征在于,所述第二充电电路包括第四晶体管;
所述第四晶体管的第一极接入所述第一电源电压,所述第四晶体管的第二极与所述存储模块的第一端连接,所述第四晶体管的栅极与所述第一信号输出电路的输出端连接。
4.根据权利要求1所述的锂电池上电自恢复保护控制电路,其特征在于,所述第一信号输出电路包括第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管和第十晶体管;
所述第五晶体管的第一极接入所述第一电源电压,所述第五晶体管的第二极与所述第六晶体管的第一极连接,所述第六晶体管的第二极与所述第二信号输出电路的输入端连接,所述第五晶体管的栅极和所述第六晶体管的栅极均与所述存储模块的第一端连接,所述第九晶体管的栅...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋锦茂,
申请(专利权)人:苏州赛芯电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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