一种超薄宽谱透明电极及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种超薄宽谱透明电极及其制备方法，属于透明电极材料领域。本发明专利技术的方法包括：在基板上以1∶1的厚度比分别沉积金薄膜和铝薄膜，得到沉积的金铝薄膜；将所述金铝薄膜进行高温真空退火。本发明专利技术的技术方案通过将金薄膜与铝薄膜进行真空退火形成合金薄膜，由于金属薄膜在纳米级厚度下透明，通过金原子与铝原子之间内部扩散作用，抑制了薄膜的表面扩散，并进而抑制了薄膜在高温下的分裂获得了连续、导电的透明薄膜。解决了现有的透明电极存在红外不透光、温度稳定性差以及电极厚度厚的技术问题，对于实际应用具有重要价值。

【技术实现步骤摘要】
一种超薄宽谱透明电极及其制备方法
本专利技术属于透明电极材料领域，更具体地，涉及一种超薄宽谱透明电极及其制备方法。
技术介绍
透明电极作为光电器件中的核心元件直接影响着光电器件的性能，在LED、平板显示、太阳能电池等领域发挥着至关重要的作用。目前常用的透明电极主要以透明导电氧化物如氧化铟锡(ITO)为主。但光波长超过1200nm后ITO的透光率开始下降，在近红外区域其透光率甚至低至20％。然而许多光电器件如太阳能电池有很大一部分能量也来源于红外光，ITO在红外光区的低透射率引起了器件的能量损耗，这严重限制了其作为透明电极在近红外光区工作的光电器件中的应用。此外，通常ITO的厚度为100-200nm，而非晶态的ITO导电率不高，为了提高ITO的导电率通常需要进一步提高其厚度。而在航空航天领域中，太阳能电池作为重要能量供给材料，需要整个器件同时具备小型化、低重量以及高机械强度等特点，而要利用ITO作为透明电极去制备这种光电器件在技术上要面临相当大的挑战。超薄金属薄膜作为一种透明电极其在红外光区的透明度很高，并且同时具备体积小、机械强度好等特本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超薄宽谱透明电极的制备方法，其特征在于，包括：/n在基板上以1∶1的厚度比分别沉积金薄膜和铝薄膜，得到沉积的金铝薄膜；/n将所述金铝薄膜进行高温真空退火。/n

【技术特征摘要】
1.一种超薄宽谱透明电极的制备方法，其特征在于，包括：
在基板上以1∶1的厚度比分别沉积金薄膜和铝薄膜，得到沉积的金铝薄膜；
将所述金铝薄膜进行高温真空退火。


2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，沉积金薄膜和铝薄膜时，先沉积金薄膜，再在所述金薄膜上沉积铝薄膜。


3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述金薄膜和铝薄膜的厚度均为10nm。


4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在基板上以1：1的厚度比分别沉积金薄膜和铝薄膜具体包括：
利用电阻式真空蒸发镀膜仪在所述基板表面分别沉积金薄膜和铝薄膜，沉积过程中的沉积速度为0.1nm/s，沉积真空度为1×10-4Torr。


5.如权利要求1所述的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏东，姜胜林，李明钰，
申请(专利权)人：华中科技大学，深圳华中科技大学研究院，
类型：发明
国别省市：湖北;42