温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种超薄宽谱透明电极及其制备方法,属于透明电极材料领域。本发明的方法包括:在基板上以1∶1的厚度比分别沉积金薄膜和铝薄膜,得到沉积的金铝薄膜;将所述金铝薄膜进行高温真空退火。本发明的技术方案通过将金薄膜与铝薄膜进行真空退火形成合...该专利属于华中科技大学;深圳华中科技大学研究院所有,仅供学习研究参考,未经过华中科技大学;深圳华中科技大学研究院授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种超薄宽谱透明电极及其制备方法,属于透明电极材料领域。本发明的方法包括:在基板上以1∶1的厚度比分别沉积金薄膜和铝薄膜,得到沉积的金铝薄膜;将所述金铝薄膜进行高温真空退火。本发明的技术方案通过将金薄膜与铝薄膜进行真空退火形成合...