太阳能电池片、叠瓦组件和制造方法技术

本发明专利技术涉及一种太阳能电池片、叠瓦组件和制造方法。太阳能电池片包括基体片、设置在基体片上的主栅线和副栅线，副栅线包括多个第一副栅线和多个第二副栅线。每一个第一副栅线在基体片的表面上沿横向方向从基体片的两个纵向边缘中的一个纵向边缘延伸到另一个纵向边缘；每一个第二副栅线在基体片的表面上沿纵向方向从基体片的两个横向边缘中的一个横向边缘延伸到另一个横向边缘。多个第一副栅线和多个第二副栅线交叉设置从而形成网格结构。本发明专利技术所提供的太阳能电池片的副栅线在基体片的表面呈网格状排布，能够允许太阳能电池片以最优路径收集电流，避免电流在副栅线内运动路径过长，从而能够减小电流损失。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池片、叠瓦组件和制造方法
本专利技术涉及能源领域，尤其涉及一种太阳能电池片、叠瓦组件和制造方法。
技术介绍
随着全球煤炭、石油、天然气等常规化石能源消耗速度加快，生态环境不断恶化，特别是温室气体排放导致日益严峻的全球气候变化，人类社会的可持续发展已经受到严重威胁。世界各国纷纷制定各自的能源发展战略，以应对常规化石能源资源的有限性和开发利用带来的环境问题。太阳能凭借其可靠性、安全性、广泛性、长寿性、环保性、资源充足性的特点已成为最重要的可再生能源之一，有望成为未来全球电力供应的主要支柱。在新一轮能源变革过程中，我国光伏产业已成长为具有国际竞争优势的战略新兴产业。然而，光伏产业发展仍面临诸多问题与挑战，转换效率与可靠性是制约光伏产业发展的最大技术障碍，而成本控制与规模化又在经济上形成制约。光伏组件作为光伏发电的核心部件，提高其转换效率发展高效组件是必然趋势。目前市场上涌现各种各样的高效组件，如叠瓦、半片、多主栅、双面组件等。随着光伏组件的应用场所和应用地区越来越广泛，对其可靠性要求越来越高，尤其是在一些恶劣或极端天气多发地区需要采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池片，其特征在于，太阳能电池片包括：/n基体片，基体片具有两个纵向边缘和两个横向边缘；/n多个副栅线，多个副栅线设置在基体片的表面上，多个副栅线包括：/n多个第一副栅线，每一个第一副栅线沿横向方向从基体片的两个纵向边缘中的一个纵向边缘延伸到另一个纵向边缘；/n多个第二副栅线，每一个第二副栅线沿纵向方向从基体片的两个横向边缘中的一个横向边缘延伸到另一个横向边缘，/n其中，多个第一副栅线和多个第二副栅线在基体片的同一表面上交叉设置从而形成网格结构；/n两个主栅线，两个主栅线分别设置在基体片的顶表面和底表面上并分别沿两个纵向边缘延伸。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片，其特征在于，太阳能电池片包括：
基体片，基体片具有两个纵向边缘和两个横向边缘；
多个副栅线，多个副栅线设置在基体片的表面上，多个副栅线包括：
多个第一副栅线，每一个第一副栅线沿横向方向从基体片的两个纵向边缘中的一个纵向边缘延伸到另一个纵向边缘；
多个第二副栅线，每一个第二副栅线沿纵向方向从基体片的两个横向边缘中的一个横向边缘延伸到另一个横向边缘，
其中，多个第一副栅线和多个第二副栅线在基体片的同一表面上交叉设置从而形成网格结构；
两个主栅线，两个主栅线分别设置在基体片的顶表面和底表面上并分别沿两个纵向边缘延伸。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，多个第一副栅线包括多个普通第一副栅线和多个加宽第一副栅线，加宽第一副栅线的宽度为普通第一副栅线的宽度的1.2倍-10倍，多个加宽第一副栅线间隔设置，并且任意相邻的两个加宽第一副栅线之间隔着1-50个普通第一副栅线；并且/或者
多个第二副栅线包括多个普通第二副栅线和多个加宽第二副栅线，加宽第二副栅线的宽度为普通第二副栅线的宽度的1.2倍-10倍，多个加宽第二副栅线间隔设置，并且任意相邻的两个加宽第二副栅线之间隔着1-50个普通第二副栅线。


3.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，多个副栅线中的至少部分副栅线在其各自的延伸方向上具有渐变的宽度；并且/或者两个主栅线中的至少一个主栅线在其延伸方向上具有渐变的宽度。


4.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，两个主栅线中的至少一个主栅线为多段式栅线，多段式栅线在其延伸方向上具有依次相连的多个部段，各个部段之间具有不同的宽度；并且/或者，多个副栅线中的至少部分副栅线为多段式栅线，多段式栅线在其延伸方向上具有依次相连的多个部段，各个部段之间具有不同的宽度。


5.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，第一副栅线和第二副栅线的相交区域中的部分相交区域设置有点状导电结构，点状导电结构的纵向尺寸大于第二副栅线的宽度，点状导电结构的横向尺寸大于第一副栅线的宽度。


6.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，基体片具有PN结、隧穿结、异质结中的至少一种半导体结，其中太阳能电池片被构造为满足如下至少一者：
第一副栅线为烧穿PN结、隧穿结或异质结表面的钝化结构层并与PN结、隧穿结或异质结形成导电接触的连续的或者间断的栅线结构；
第二副栅线为烧穿PN结、隧穿结或异质结表面的钝化结构层并与PN结、隧穿结或异质结形成导电接触的连续的或者间断的栅线结构；
设置在基体片的顶表面的主栅线为烧穿PN结、隧穿结或异质结表面的钝化结构层并与PN结、隧穿结或异质结形成导电接触的连续的或者间断的栅线结构。


7.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，基体片具有PN结、隧穿结、异质结中的至少一种半导体结，其中太阳能电池片被构造为满足如下至少一者：
第一副栅线为不烧穿基体片的PN结、隧穿结或异质结表面的钝化...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹丙伟，肖俊峰，孙俊，李岩，石刚，谢毅，刘汉元，
申请(专利权)人：成都晔凡科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51