晶体硅太阳能电池背电极图形结构制造技术

本发明专利技术属于光伏发电技术领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池背电极图形结构，包括位于电池背面上的电极图形，所述的电极图形包括主栅、副栅和pad点，所述的主栅和pad点为银浆料层，所述的副栅为铝浆料层。本发明专利技术提供的晶体硅太阳能电池背电极图形结构在主栅的材料上用银浆代替了铝浆，增加了pad点数量，设计了副栅汇流条，加强了主栅导流能力，有利于提升短路电流，降低串联电阻，从而提升了组件功率，减少了内部电损耗。同时，为了降低工艺精度要求，设计了副栅渐变加粗结构，保证了副栅基体和pad点的良好接触。

【技术实现步骤摘要】
晶体硅太阳能电池背电极图形结构
本专利技术属于光伏发电
，涉及一种晶体硅太阳能电池背电极图形结构。
技术介绍
近年来，太阳能技术不断进步，生产成本不断下降，转化效率不断提升，使得光伏发电的应用日益普及并迅猛发展。随着光伏发电技术平价上网的进程加快，市场从原来仅仅重视高功率，日益转变为兼具高功率、在任何安装条件下长时间稳定的发电量、低衰减和低成本的综合要求，以此真正降低用户端度电成本。所以如何有效降低度电成本成为目前行业普遍所关心问题，而作为光伏系统端发电的核心部件——光伏组件是重中之重，组件高功率是促成平价上网的必备技术通道，提升组件内部光通量、降低内部电损耗也成为当前组件功率提升的主要路径。进一步的决定光伏组件单位发电量的核心器件为太阳电池，其中的金属电极制做作为晶体硅太阳电池的最后一道工序，同时也是串并联起电池组件不同焊接方式，决定光伏发电模组内阻损耗大小和光生电流能否顺利导出的关键。该工序中贵金属浆料、精密网版等耗材长期占据电池制备物料中非硅成本的绝大比例，因此晶体硅太阳电池正背面金属电极尤其正面Ag金属电极的设计制造，与其量产化成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体硅太阳能电池背电极图形结构，包括位于电池背面上的电极图形，其特征在于，所述的电极图形包括主栅(1)、副栅(2)和pad点(3)，所述的主栅(1)和pad点(3)为银浆料层，所述的副栅(2)为铝浆料层。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳能电池背电极图形结构，包括位于电池背面上的电极图形，其特征在于，所述的电极图形包括主栅(1)、副栅(2)和pad点(3)，所述的主栅(1)和pad点(3)为银浆料层，所述的副栅(2)为铝浆料层。


2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构，其特征在于，所述的副栅(2)包括若干副栅基体(21)和副栅汇流条(23)，副栅基体(21)与副栅汇流条(23)连接，每条副栅汇流条(23)分成若干段呈直线设置的副栅汇流条(23)，每两段相邻的副栅汇流条(23)之间设有一个pad点(3)且副栅汇流条(23)端部与pad点(3)连接。


3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构，其特征在于，若干副栅基体(21)与pad点(3)连接，或者与副栅汇流条(23)直接连接。


4.根据权利要求3所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构，其特征在于，当副栅基体(21)与pad点(3)连接时，该副栅基体(21)与pad点(3)连接的端部设有副栅渐变加粗结构(22)，副栅渐变加粗结构(22)的宽度由pad点(3)的边缘向中心的方向逐渐变大，副栅渐变加粗结构(22)与pad点(3)固定连接。


5.根据权利要求4所述的晶体硅太阳能电池背电极图形结构，其特征在于，所述的副栅渐变加粗结构(22)呈水滴状，且最宽处的宽度为0.3mm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：张原，周超，高纪凡，陈红，李森，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32