一种半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术提出一种半导体结构及其制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底上包括垫氧化层和垫氮化层；形成沟槽于所述衬底中；在所述沟槽中依次形成衬氧化层和衬氮化层；其中，所述衬氧化层位于所述沟槽内所述衬底的底部和侧壁上，所述衬氮化层位于所述衬氧化层上，所述衬氮化层与所述垫氮化层、所述垫氧化层接触；通过干法刻蚀移除部分所述衬氮化层，以暴露出位于所述沟槽底部的所述衬氧化层；对所述沟槽进行填充，以在所述沟槽中形成介质层；其中，通过含硅前驱体和含氧前驱体在所述沟槽中形成所述介质层，形成所述介质层至少包括第一阶段，第二阶段和第三阶段。本发明专利技术提出一种半导体结构的制造方法可以解决浅沟槽隔离结构出现空洞的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
随着集成电路的集成度不断提高，半导体技术也持续的飞速发展。尤其是在浅沟槽隔离（ShallowTrenchIsolation，简称STI）工艺中，随着半导体性能要求的不断提高，工艺尺寸越来越小，使得沟槽（trench）深宽比（aspectratio）越来越大，就造成沟槽填充介质越来越困难，既如何在小尺寸条件下得到无孔的完美填充是保证STI隔离特性和可靠性的重要保证。现有技术中制作STI结构过程中，通常采用氮化硅作为STI沟槽刻蚀的硬质掩膜层，刻蚀出STI沟槽，然后向沟槽中填充氧化硅，形成浅STI结构。随着IC关键尺寸的减小，STI填充变得愈加困难，很容易出现填充空洞(void)，降低STI结构的隔离效果，降低器件性能。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺陷，本专利技术提出一种半导体结构及其制造方法，以解决浅沟槽隔离结构形成空洞的问题，提高浅沟槽隔离结构的隔离效果。为实现上述目的及其他目的，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底上包括垫氧化层和垫氮化层；/n形成沟槽于所述衬底中；/n在所述沟槽中依次形成衬氧化层和衬氮化层；其中，所述衬氧化层位于所述沟槽内所述衬底的底部和侧壁上，所述衬氮化层位于所述衬氧化层上，所述衬氮化层与所述垫氮化层、所述垫氧化层接触；/n通过干法刻蚀移除部分所述衬氮化层，以暴露出位于所述沟槽底部的所述衬氧化层；/n对所述沟槽进行填充，以在所述沟槽中形成介质层；/n其中，通过含硅前驱体和含氧前驱体在所述沟槽中形成所述介质层，形成所述介质层至少包括第一阶段，第二阶段和第三阶段；在所述第一阶段中，所述介质层在所述衬氧化层上的沉积速率...

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底上包括垫氧化层和垫氮化层；
形成沟槽于所述衬底中；
在所述沟槽中依次形成衬氧化层和衬氮化层；其中，所述衬氧化层位于所述沟槽内所述衬底的底部和侧壁上，所述衬氮化层位于所述衬氧化层上，所述衬氮化层与所述垫氮化层、所述垫氧化层接触；
通过干法刻蚀移除部分所述衬氮化层，以暴露出位于所述沟槽底部的所述衬氧化层；
对所述沟槽进行填充，以在所述沟槽中形成介质层；
其中，通过含硅前驱体和含氧前驱体在所述沟槽中形成所述介质层，形成所述介质层至少包括第一阶段，第二阶段和第三阶段；在所述第一阶段中，所述介质层在所述衬氧化层上的沉积速率大于所述介质层在所述衬氮化层上的沉积速率。


2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀还移除位于所述衬底上的所述垫氮化层，同时圆化所述沟槽的顶部，以在所述沟槽的顶部形成圆弧状。


3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，经过所述干法刻蚀之后，所述沟槽顶部的开度大于所述沟槽底部的开度。


4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述圆弧状的半径在20-70nm之间。


5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一阶段，所述第二阶段和所述第三阶段中，所述含硅前驱体的流量依次增加。


6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一阶段中，所述含硅前驱体的流量在2000-400...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶磊，蔡明洋，王厚有，冯永波，郭小康，
申请(专利权)人：晶芯成北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11