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本发明提出一种半导体结构及其制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底上包括垫氧化层和垫氮化层；形成沟槽于所述衬底中；在所述沟槽中依次形成衬氧化层和衬氮化层；其中，所述衬氧化层位于所述沟槽内所述衬底的底部和侧壁上，所述衬氮化层位于所述衬氧化层上，...
该专利属于晶芯成(北京)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶芯成(北京)科技有限公司授权不得商用。

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