【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体的制造工艺领域，特别涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
近年来，随着半导体集成电路制造技术的发展，芯片中所含元件的数量不断增加，元件的尺寸也因集成度的提升而不断地缩小。然而，无论元件尺寸如何缩小化，在芯片中各个元件之间仍必须有适当得绝缘或隔离，才能得到良好的元件性质。这方面的技术一般称为元件隔离技术（DeviceIsolationTechnology），其主要目的是在各元件之间形成隔离物，并且在确保良好隔离效果的情况下，尽量缩小隔离物的区域，以空出更多的芯片面积来容纳更多的元件。在各种元件隔离技术中，局部硅氧化方法（LOCOOS）和浅沟道隔离区（STI，ShallowTrenchIsolation）制造过程是最常被采用的两种技术，尤其后者具有隔离区域小和完成后仍保持基本平坦性等优点，更是近年来颇受重视的半导体制造技术。浅沟道隔离区是0.25μm以下半导体技术采用的通用隔离方法，这种隔离的优点是隔离效果好，而且占用面积小。通过传统工艺形成的STI隔离结构时...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一衬底，在所述衬底上依次形成第一钝化层和第一氮化硅层，其中，所述衬底包括相邻设置的第一区和第二区；/n依次刻蚀所述第二区的所述第一氮化硅层、所述第一钝化层和所述衬底，并刻蚀停止在所述衬底中；/n在所述第二区的所述衬底上形成第二钝化层，所述第二钝化层的上表面不低于所述第一钝化层的上表面，并去除所述第一氮化硅层；/n在所述第一钝化层和所述第二钝化层上形成第二氮化硅层；/n在所述第一区中，依次刻蚀所述第二氮化硅层、所述第一钝化层和所述衬底，并刻蚀停止在所述衬底中，以形成第一区的浅沟槽；在所述第二区中，依次刻蚀所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，在所述衬底上依次形成第一钝化层和第一氮化硅层，其中，所述衬底包括相邻设置的第一区和第二区；
依次刻蚀所述第二区的所述第一氮化硅层、所述第一钝化层和所述衬底，并刻蚀停止在所述衬底中；
在所述第二区的所述衬底上形成第二钝化层，所述第二钝化层的上表面不低于所述第一钝化层的上表面，并去除所述第一氮化硅层；
在所述第一钝化层和所述第二钝化层上形成第二氮化硅层；
在所述第一区中，依次刻蚀所述第二氮化硅层、所述第一钝化层和所述衬底，并刻蚀停止在所述衬底中，以形成第一区的浅沟槽；在所述第二区中，依次刻蚀所述第二氮化硅层、所述第二钝化层和所述衬底，并刻蚀停止在所述衬底中，以形成第二区的浅沟槽；其中，所述第一区的浅沟槽的槽底与所述第二区的浅沟槽的槽底在所述衬底的同一高度处；
进一步刻蚀所述第二区的浅沟槽，以加深所述第二区的浅沟槽的槽深，从而形成半导体器件。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一钝化层的厚度小于200Å，所述第一氮化硅层的厚度300Å~700Å。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，依次刻蚀所述第二区的所述第一氮化硅层、所述第一钝化层和所述衬底，并刻蚀停止在所述衬底中包括以下步骤：
在所述第一氮化硅层上形成图形化的第一光刻胶层，图形化的所述第一光刻胶层暴露出所述第二区的所述第一氮化硅层；
以图形化的所述第一光刻胶层为掩模，依次刻蚀所述第二区的第一氮化硅层、所述第一钝化层和所述衬底，并刻蚀停止在所述衬底中；
去除剩余的所述第一光刻胶层。
4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述第二区的衬底的刻蚀深度小于600Å。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二钝化层的上表面高于所述第一钝化层的上表面。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一钝化层和所述第二钝化层上形成第二氮化硅层包括：
在所述第一钝化层和所述第二钝化层上依次形成第二氮化硅层和硬掩模层。
7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在所述第一区中，依次刻蚀所述第二氮化硅层、所述第一钝化层和所述衬底，并刻蚀停止在所述衬底中，以形成第一区的浅沟槽；在所述第二区中，依次刻蚀所述第二氮化硅层、...
【专利技术属性】
技术研发人员：张国伟，蔡君正，吴佳特，陈信全，蒲甜松，
申请(专利权)人：晶芯成北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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