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本发明提供的一种半导体器件及其形成方法，在半导体器件的形成方法中，通过在第二区的衬底上形成第二钝化层，第二钝化层的上表面不低于第一区的第一钝化层的上表面，并得到的第一区的浅沟槽的槽底与第二区的浅沟槽的槽底在衬底的同一高度处，以减小第一区的浅...
该专利属于晶芯成(北京)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶芯成(北京)科技有限公司授权不得商用。

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