三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物、电存储器件及其制备制造技术

本发明专利技术属于有机电存储材料的技术领域，公开了三苯胺‑芴‑苯并咪唑低带隙三元共聚物、电存储器件及其制备。所述低带隙三元共聚物具有以下结构，其中，R为烷氧基；R

Triphenylamine fluorene benzimidazole terpolymer with low band gap and its preparation

【技术实现步骤摘要】
三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物、电存储器件及其制备
本专利技术属于有机存储材料
，具体涉及一种三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物及其合成方法，以及该聚合物作为有机层的电存储器件及其制备方法。
技术介绍
随着全球数字信息的爆炸式增长，开发基于新功能材料或新存储机制的新一代信息存储技术变得极为迫切和具有挑战性，这将大幅度的提升计算机的信息处理能力。利用传统的无机半导体材料制备电存储器件的技术已经非常成熟，使其在各信息领域得到充分应用。三明治结构的阻变式随机存取存储器(RRAM)具有良好的机械的灵活性，堆叠可行性，高数据存储密度，可以实现多级信息存储等优势，被看做有前途的高性能数据存储设备的候选人，成为现阶段的研究热点。最近，聚合物电存储器件引起了人们的极大关注。有机电存储器件是根据高、低电导率响应变化来储存数据的，并且表现出双稳定性。聚合物材料的特殊性能，获得人们的极大关注。聚合物材料具有良好的加工性能、单元尺寸的可伸缩性以及可以通过分子设计和化学合成来调整材料的电学性质，使其成为未来微纳米和分子规模器存储材料的理想材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物，其特征在于：具有以下结构：/n

【技术特征摘要】
1.一种三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物，其特征在于：具有以下结构：



其中，R为烷氧基；同一重复单元中R1相同或不同，R1为烷基；不同重复单元中芴类结构相同；
m为20至300的整数；n为20至300的整数。


2.根据权利要求1所述三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物，其特征在于：R为甲氧基或乙氧基；R1为C6烷基、C7烷基或C8烷基；m为30至200的整数；n为30至200的整数；m和n数值相同。


3.根据权利要求1或2所述三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)在溶剂中，将卤代三苯胺类单体、卤代苯并咪唑类单体与芴类单体进行加热反应，后续处理，获得低带隙三元共聚物；
所述卤代三苯胺类单体的结构式为：



其中，X1选自氯、溴或碘，R2为烷氧基；
所述卤代苯并咪唑类单体的结构式为：



其中，卤代基X2选自氯、溴、碘；R3和R4各自独立的为氢；
所述芴类单体为9,9-二烷基芴-2,7-二硼酸酯类单体，表示的是芴单体的9位上有两个取代烷基，2和7位上有硼酸基类基团或硼酸酯基类基团。


4.根据权利要求3所述三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物的制备方法，其特征在于：所述反应在催化剂催化下进行；所述催化剂为钯催化剂，选自钯盐，钯碳，无机氧化物负载钯或钯的配合物；
所述溶剂为有机溶剂，选自石油醚、甲苯、二甲苯、二甲基亚砜、N,N-...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪成，虢德超，马东阁，张洪岩，代岩峰，常海洋，孙治尧，乔现峰，王淑红，
申请(专利权)人：华南理工大学，黑龙江大学，
类型：发明
国别省市：广东;44