微机电系统器件技术方案

本申请涉及一种MEMS器件，包括衬底依次叠设于衬底上的第一牺牲层、第一导电薄膜、第二牺牲层和第二导电薄膜，其中，第二牺牲层开设有空腔；还包括开设有第一通孔的限幅层和开设有第二通孔的隔离层，第一通孔的正投影位于第二通孔内且第一通孔的孔径小于第二通孔的孔径，限幅层的正投影与空腔的开口区域部分重合，第一通孔的正投影与空腔开口区域部分重合，限幅层位于第一导电薄膜与第一牺牲层之间且隔离层位于限幅层与第一导电薄膜之间，和/或，位于第二导电薄膜上且隔离层位于限幅层与第二导电薄膜之间。上述MEMS期间，通过设置限幅层，在不影响导电薄膜应力的前提下，可以限制导电薄膜的形变程度，从而保护器件。

MEMS devices

【技术实现步骤摘要】
微机电系统器件
本专利技术涉及微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystem，MEMS)领域，尤其涉及一种微机电系统器件。
技术介绍
MEMS器件利用薄膜的形变来实现机械能与电能的转换时，若薄膜的形变程度较大，一旦超出薄膜的应力承受能力，薄膜将会破裂而导致器件失效。如MEMS麦克风具有振膜和背板，振膜和背板之间形成有空腔，振膜和背板构成一电容，背板设计有声孔，气流通过声孔进入空腔，使振膜或背板产生形变，从而使电容值发生变化，实现声电转换。由于振膜和背板非常薄，当气流较大时，振膜或背板的形变程度达到一定程度后会破裂，致使MEMS麦克风失效。
技术实现思路
基于此，有必要针对MEMS器件中感应薄膜形变程度较大时容易破裂的技术问题，提出一种新的MEMS器件。一种微机电系统器件，包括：衬底；第一牺牲层，设于所述衬底上，所述衬底开设有贯穿所述衬底和所述第一牺牲层的背腔；第一导电薄膜，设于所述第一牺牲层上且覆盖所述背腔；第二牺牲层，设于所述第一导电薄膜上，所述第二牺牲层开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微机电系统器件，包括：/n衬底；/n第一牺牲层，设于所述衬底上，所述衬底开设有贯穿所述衬底和所述第一牺牲层的背腔；/n第一导电薄膜，设于所述第一牺牲层上且覆盖所述背腔；/n第二牺牲层，设于所述第一导电薄膜上，所述第二牺牲层开设有贯穿所述第二牺牲层的空腔；/n第二导电薄膜，设于所述第二牺牲层上且覆盖所述空腔；/n其特征在于，还包括：/n叠设的限幅层和隔离层，所述限幅层开设有第一通孔，所述隔离层开设有第二通孔，所述第一通孔的正投影位于所述第二通孔内且所述第一通孔的孔径小于所述第二通孔的孔径；所述限幅层的正投影与所述空腔的开口区域部分重合，所述第一通孔的正投影也与所述空腔的开口区域部分重合；...

【技术特征摘要】
1.一种微机电系统器件，包括：
衬底；
第一牺牲层，设于所述衬底上，所述衬底开设有贯穿所述衬底和所述第一牺牲层的背腔；
第一导电薄膜，设于所述第一牺牲层上且覆盖所述背腔；
第二牺牲层，设于所述第一导电薄膜上，所述第二牺牲层开设有贯穿所述第二牺牲层的空腔；
第二导电薄膜，设于所述第二牺牲层上且覆盖所述空腔；
其特征在于，还包括：
叠设的限幅层和隔离层，所述限幅层开设有第一通孔，所述隔离层开设有第二通孔，所述第一通孔的正投影位于所述第二通孔内且所述第一通孔的孔径小于所述第二通孔的孔径；所述限幅层的正投影与所述空腔的开口区域部分重合，所述第一通孔的正投影也与所述空腔的开口区域部分重合；所述限幅层位于所述第一导电薄膜与所述第一牺牲层之间且所述隔离层位于所述限幅层与所述第一导电薄膜之间，和/或，所述限幅层位于所述第二导电薄膜上且所述隔离层位于所述限幅层与所述第二导电薄膜之间。


2.如权利要求1所述的微机电系统器件，其特征在于，所述限幅层开设有单个所述第一通孔，所述第一通孔的正投影位于所述空腔开口区域内，所述限幅层的正投影与所述空腔开口区域的重叠区域呈等宽环形。


3.如权利要求1所述的微机电系统器件，其特征在于，所述限幅层开设有单个所述第一通孔，所述限幅层围成所述第一通孔的侧壁具有朝所述第一通孔的中心凸起的凸起臂，所述凸起臂的正...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡永刚，周国平，夏长奉，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32