【技术实现步骤摘要】
用于电容式传感器设备的微机械构件
本专利技术涉及一种用于电容式传感器设备的微机械构件和一种电容式传感器设备。本专利技术也涉及一种用于电容式传感器设备的微机械构件的制造方法和一种用于制造电容式传感器设备的方法。
技术介绍
在DE102009000403A1中说明了一种微机械电容式压力传感器和一种用于制造这种压力传感器的方法。压力传感器具有构造在衬底上的测量装置，该测量装置包括固定的第一测量电极和借助膜片在所述第一电极上方可调节地悬置的第二测量电极。第一测量电极由间接沉积在衬底上的掺杂的第一多晶硅层结构化出。第二测量电极由第二多晶硅层形成，该第二多晶硅层布置在第一多晶硅层的离开衬底指向的侧上。所述膜片由第三多晶硅层形成。
技术实现思路
本专利技术提出一种用于电容式传感器设备的微机械构件、一种电容式传感器设备、一种用于电容式传感器设备的微机械构件的制造方法以及一种用于制造电容式传感器设备的方法。本专利技术提出一种微机械构件或者说一种配备有所述微机械构件的电容式传感器设备，在所述电容式传感器设备中，微机械...
【技术保护点】
1.一种用于电容式传感器设备的微机械构件，具有:/n衬底(10)；/n固定的第一电极(12)，所述第一电极由直接或间接布置在所述衬底(10)上的第一半导体层和/或金属层(16)形成；和/n相对于所述第一电极(12)能调节的第二电极(14)，所述第二电极借助膜片(22)悬置在所述第一电极(12)上方，其中，至少所述第二电极(14)由第二半导体层和/或金属层(24)形成，所述第二半导体层和/或金属层布置在第一半导体层和/或金属层(16)的离开所述衬底(10)指向的一侧上；/n其特征在于，/n盖装置(26)覆盖所述膜片(22)，其中，所述盖装置(26)由第三半导体层和/或金属层(...
【技术特征摘要】
20190412 DE 102019205347.51.一种用于电容式传感器设备的微机械构件，具有:
衬底(10)；
固定的第一电极(12)，所述第一电极由直接或间接布置在所述衬底(10)上的第一半导体层和/或金属层(16)形成；和
相对于所述第一电极(12)能调节的第二电极(14)，所述第二电极借助膜片(22)悬置在所述第一电极(12)上方，其中，至少所述第二电极(14)由第二半导体层和/或金属层(24)形成，所述第二半导体层和/或金属层布置在第一半导体层和/或金属层(16)的离开所述衬底(10)指向的一侧上；
其特征在于，
盖装置(26)覆盖所述膜片(22)，其中，所述盖装置(26)由第三半导体层和/或金属层(28)形成，所述第三半导体层和/或金属层布置在所述第二半导体层和/或金属层(24)的离开所述衬底(10)指向的一侧上。
2.根据权利要求1的微机械构件，其中，结构化有穿过所述盖装置(26)的至少一个贯通开口(30)。
3.根据权利要求1或2所述的微机械构件，其中，所述第二电极(14)是由所述第二半导体层和/或金属层(24)形成的膜片(22)的一部分。
4.根据权利要求1或2的微机械构件，其中，所述第二电极(14)悬置在所述膜片(22)上，并且所述膜片(22)由布置在所述第二半导体层和/或金属层(24)与所述第三半导体层和/或金属层(28)之间的另一半导体层和/或金属层(48)形成。
5.根据前述权利要求中任一项所述的微机械构件，其中，在所述盖装置(26)和所述膜片(22)之间构造有至少一个电绝缘的缓冲结构(46)。
6.根据前述权利要求中任一项所述的微机械构件，其中，所述盖装置(26)能这样进行电接触，使得在所述盖装置(26)和所述膜片(22)之间能施加电势差。
7.根据前述权利要求中任一项所述的微机械构件，其中，所述第一半导体层和/或金属层(16)的第一最小层厚度(d1)大于等于所述第二半导体层和/或金属层(24)的第二最小层厚度(d2)的一半和/或大于等于所述第三半导体层和/或金属层(28)的第三最小层厚度(d3)的一半，其中，凹槽(44)构造在固定的所述第一电极(12)的离开所述衬底(10)指向的一侧上，其中，所述凹槽(44)的平行于所述衬底(10)的衬底表面(10a)定向的间隙宽度(Δ)小于所述第一半导体层和/或金属层(16)的所述第一最小层厚度(d1)。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·纳格尔，H·阿特曼，V·森兹，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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