垂直腔面发射激光器件制造技术

一实施例的垂直腔面发射激光器件，包括：下镜；上镜，布置于所述下镜上方；活性区域，布置于所述下镜和所述上镜之间；下n型覆层，布置于所述活性区域和所述下镜之间；上n型覆层，布置于所述活性区域和所述上镜之间；高浓度掺杂的p型半导体层，布置于所述活性区域和所述上n型覆层之间；以及高浓度掺杂的n型半导体层，布置于所述高浓度掺杂的p型半导体层和所述上n型覆层之间而与所述高浓度掺杂的p型半导体层形成隧道接合。

【技术实现步骤摘要】
垂直腔面发射激光器件
本公开涉及一种垂直腔面发射激光器件，更详细地涉及一种高效率及低阻抗的垂直腔面发射激光器件。
技术介绍
垂直腔面发射激光器件应用于短/中距离通信用光源。尤其，垂直腔面发射激光器由于具有高光纤耦合效率(fiber-couplingefficiency)、低激光制造费用、低安装费用及低电耗(lowelectricalpowerconsumption)且能够形成二维阵列(two-dimensionalarray)的特性，作为下一代光通信及信号处理用光源，其使用正在扩大。垂直腔面发射激光器件与边缘发射型(edgetype)激光器件不同，电流向垂直于基板面的方向流动，因此需要限制电流流动的区域窄。为此，使用利用带制成激光器区域或注入离子形成绝缘区域来限定激光器区域的方法，进而主要使用形成氧化膜而限定电流通过区域即光孔(aperture)的方法。另一方面，垂直腔面发射激光器件在n型接触层与p型接触层之间具备活性区域。若在n型接触层及p型接触层形成电极而注入电流，则在活性区域产生光。在活性区域产生的光在下镜和上镜之间放大而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直腔面发射激光器件，其特征在于，包括：/n下镜；/n上镜，布置于所述下镜上方；/n活性区域，布置于所述下镜和所述上镜之间；/n下n型覆层，布置于所述活性区域和所述下镜之间；/n上n型覆层，布置于所述活性区域和所述上镜之间；/n高浓度掺杂的p型半导体层，布置于所述活性区域和所述上n型覆层之间；以及/n高浓度掺杂的n型半导体层，布置于所述高浓度掺杂的p型半导体层和所述上n型覆层之间而与所述高浓度掺杂的p型半导体层形成隧道接合。/n

【技术特征摘要】
20190320 US 62/820,967;20200316 US 16/820,4861.一种垂直腔面发射激光器件，其特征在于，包括：
下镜；
上镜，布置于所述下镜上方；
活性区域，布置于所述下镜和所述上镜之间；
下n型覆层，布置于所述活性区域和所述下镜之间；
上n型覆层，布置于所述活性区域和所述上镜之间；
高浓度掺杂的p型半导体层，布置于所述活性区域和所述上n型覆层之间；以及
高浓度掺杂的n型半导体层，布置于所述高浓度掺杂的p型半导体层和所述上n型覆层之间而与所述高浓度掺杂的p型半导体层形成隧道接合。


2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，
所述高浓度掺杂的p型半导体层包括p++InAlAs或p++InAlGaAs。


3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，
所述高浓度掺杂的n型半导体层包括n++InP、n++InAlGaAs或n++InAlAs。


4.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，
所述垂直腔面发射激光器件还包括布置于所述活性区域和所述高浓度掺杂的p型半导体层之间的蚀刻阻挡层。


5.根据权利要求4所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，
所述蚀刻阻挡层包括p型InP。


6.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，
所述活性区域包括障壁层及布置于所述障壁层之间的阱层，所述障壁层及所述阱层包括InAlGaAs系列的半导体。


7.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，
所述垂直腔面发射激光器件还包括相接于所述活性区域而布置于所述活性区域两侧的InAlGaAs系列的间隔层。


8.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，
所述下n型覆层及所述上n型覆层分别包括n型接触层。


9.根据权利要求8所述的垂直腔面发射激光器件，其特征在于，
所述垂直腔面发射激光器件还包括分别接触于所述下n型覆层及所述上n型覆层的下欧姆接触层及上欧姆接触层。


10.根据权利要求9所述的垂直腔面发射激光...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴城柱，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国;KR