一种背出光的面射型激光器结构及其制作方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种背出光的面射型激光器结构及其制作方法和应用，是在基板的正面依次层叠低反射率的底部DBR、主动区和高反射率的顶部DBR，将顶面出光改变为背面出光，同时在基板对应出光区域位置设置出光孔，使光由基板的出光孔导出。与集成电路芯片整合时，将面射型激光器结构背面朝下的覆设于集成电路芯片上并进行电路连接，封装工艺简单快速，可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
一种背出光的面射型激光器结构及其制作方法和应用
本专利技术涉及面射型激光器的
，尤其涉及一种背出光的面射型激光器结构及其制作方法和应用。
技术介绍
面射型激光器是一种垂直于顶面射出激光的半导体器件。常见的面射型激光器由两面分散式布拉格反射器(DBR)平行于一个芯片主动反应区表面，此主动区是由一到数个量子井所构成，使激光光带存在于其中。一个平面的DBR是由几层不同高低折射率的透镜所组成。每层透镜的厚度为四分之一的激光波长，并给予高反射强度。面射型激光器具有体积小、单纵模输出、阈值电流小、光电转换效率高、造价低等特点，可以广泛应用于光通信、光互联、光存储等领域。由于硅光技术的逐渐成熟与应用逐渐展开，面射型激光器芯片与硅集成电路芯片的整合越来越受重视。在850nm硅光的应用上为了方便光路整合，需要面射型激光器实现向下或背面出光，然而由于目前850nm的面射型激光器芯片使用砷化镓作为外延基板，而砷化镓材料对于850nm光会有严重的吸收，因此只能采用覆晶封装或是将芯片转移到不吸收850nm波段的基板上再贴片到硅集成芯片上。覆晶封装需要特殊设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背出光的面射型激光器结构，其特征在于：包括底部金属电极、基板、底部DBR、主动区、顶部DBR、限定区和顶部金属电极；所述底部DBR、主动区、顶部DBR和顶部金属电极依次层叠在所述基板的正面，其中所述底部DBR的反射率低于所述顶部DBR的反射率，所述限定区用于限定激光器的出光区域；所述底部金属电极设于所述基板的背面；所述基板设有出光孔，且所述出光孔对应所述激光器的出光区域设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种背出光的面射型激光器结构，其特征在于：包括底部金属电极、基板、底部DBR、主动区、顶部DBR、限定区和顶部金属电极；所述底部DBR、主动区、顶部DBR和顶部金属电极依次层叠在所述基板的正面，其中所述底部DBR的反射率低于所述顶部DBR的反射率，所述限定区用于限定激光器的出光区域；所述底部金属电极设于所述基板的背面；所述基板设有出光孔，且所述出光孔对应所述激光器的出光区域设置。


2.根据权利要求1所述的面射型激光器结构，其特征在于：所述面射型激光器结构被配置用于发射850nm的激光，所述基板是砷化镓基板。


3.根据权利要求1所述的面射型激光器结构，其特征在于：所述出光孔内设有微透镜。


4.根据权利要求3所述的面射型激光器结构，其特征在于：所述微透镜的材料是环氧树脂类材料、硅胶类材料或聚亚胺。


5.根据权利要求1所述的面射型激光器结构，其特征在于：所述限定区包括筒状绝缘层，所述筒状绝缘层至少限定所述顶部DBR的导电性边界；所述出光孔对应所述筒状绝缘层设置。


6.一种背出光的面射型激光器结构的制作...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡文必，陈文欣，邱姝颖，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35