硅碳负极材料及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种硅碳负极材料的制备方法，包括以下步驟：S1，提供一碳纳米管阵列骨架，其中，所述碳纳米管阵列骨架包括多个沿同一方向紧密排列的碳纳米管以及连接于相邻碳纳米管之间的碳连接层；S2，将纳米硅材料分散于易挥发有机溶剂中形成悬浊液；S3，将碳纳米管阵列骨架作为底层并倒入所述悬浊液进行抽滤；S4，将含有所述悬浊液的碳纳米管阵列骨架进行抽真空急速冻干，形成所述硅碳负极材料，其中，所述纳米硅材料分散于所述碳纳米管阵列骨架中相邻的碳纳米管之间。

【技术实现步骤摘要】
硅碳负极材料及其制备方法
本专利技术涉及一种硅碳负极材料及其制备方法。
技术介绍
随着锂离子电池的发展，其能量密度逐渐提高，因此对负极提出了更大的容量需求。目前，硅负极因具有理论比容量高、储量丰富、点位低等优点，已经成为高能量密度电池的理想负极材料。，但是，硅在锂离子的嵌入和脱出过程其体积变化较大，容易引起电机粉化，使电池快速衰减，影响其寿命。因此，急需提供一种能够有效抑制硅纳米粒子膨胀的硅碳负极材料及其制备方法。
技术实现思路
本专利技术提供了一种硅碳负极材料及其制备方法，可以有效解决上述问题。本专利技术是这样实现的：本专利技术提供一种硅碳负极材料的制备方法，包括以下步驟：S1，提供一碳纳米管阵列骨架，其中，所述碳纳米管阵列骨架包括多个沿同一方向紧密排列的碳纳米管以及连接于相邻碳纳米管之间的碳连接层；S2，将纳米硅材料分散于易挥发有机溶剂中形成悬浊液；S3，将碳纳米管阵列骨架作为底层并倒入所述悬浊液进行抽滤；S4，将含有所述悬浊液的碳纳米管阵列骨架进行急速冻干本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步驟：/nS1，提供一碳纳米管阵列骨架，其中，所述碳纳米管阵列骨架包括多个沿同一方向紧密排列的碳纳米管以及连接于相邻碳纳米管之间的碳连接层；/nS2，将纳米硅材料分散于易挥发有机溶剂中形成悬浊液；/nS3，将碳纳米管阵列骨架作为底层并倒入所述悬浊液进行抽滤；/nS4，将含有所述悬浊液的碳纳米管阵列骨架进行抽真空急速冻干，形成所述硅碳负极材料，其中，所述纳米硅材料分散于所述碳纳米管阵列骨架中相邻的碳纳米管之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1，提供一碳纳米管阵列骨架，其中，所述碳纳米管阵列骨架包括多个沿同一方向紧密排列的碳纳米管以及连接于相邻碳纳米管之间的碳连接层；
S2，将纳米硅材料分散于易挥发有机溶剂中形成悬浊液；
S3，将碳纳米管阵列骨架作为底层并倒入所述悬浊液进行抽滤；
S4，将含有所述悬浊液的碳纳米管阵列骨架进行抽真空急速冻干，形成所述硅碳负极材料，其中，所述纳米硅材料分散于所述碳纳米管阵列骨架中相邻的碳纳米管之间。


2.如权利要求1所述的硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述碳纳米管阵列骨架的制备方法包括以下步骤：
S11，将碳纳米管阵列固定于多孔基底上；
S12，在保护氛围的条件下，使乙烯气体从所述碳纳米管阵列的顶端流向底端的多孔基底，并控制反应温度为800～850℃，反应时间为20分钟～60分钟，形成所述碳纳米管阵列骨架。


3....

【专利技术属性】
技术研发人员：钟旭航，张旻澍，李晓丹，路密，
申请(专利权)人：漳州雷天温斯顿动力电池研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35