一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构制造技术

本发明专利技术公开了一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构，包括衬底，衬底的上表面上开设有交替平行排列的至少一条有源沟槽和至少两条虚拟沟槽；衬底上表面的一端设有栅极总线多晶硅；衬底上表面上设有多晶硅桥；介质层覆盖于衬底的整个上表面以及栅极总线多晶硅和多晶硅桥的上表面；多晶硅桥上表面的介质层内设有接触窗口；接触窗口远离栅极总线多晶硅的一端与虚拟沟槽靠近栅极总线多晶硅的一端之间的距离L2>0；由于多晶硅桥上表面较平整，使得在其上表面的介质层内刻蚀接触窗口时不会受到凹凸不平的虚拟沟槽多晶硅的影响，能够刻蚀出完整的接触窗口，另外接触窗口避开了虚拟沟槽的末端，使得刻蚀接触窗口时不会出现破坏虚拟沟槽结构的情况。

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构
本专利技术涉及功率半导体器件
，具体是一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构。
技术介绍
自问世以来，IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管）技术经历了几次升级换代，使得IGBT芯片的性能大大提高，其栅极结构也从平面型结构升级到了沟槽型结构。沟槽型IGBT芯片有源区和终端区的连接方式对芯片的性能具有重要影响，因而，IGBT芯片有源区边缘处的结构设计也是一个提升芯片性能的关键点。其中，IGBT芯片的虚拟沟槽栅末端是IGBT芯片有源区边缘处的重要节点，目前虚拟沟槽栅末端与发射极金属层之间常见的连接方式是在虚拟沟槽栅末端直接设置接触窗口，接触窗口是直接刻穿IGBT芯片表面的介质层的长条窗口，直接在窗口中注入钨塞，使虚拟沟槽内的虚拟沟槽多晶硅通过钨塞接触介质层上面的发射极金属层，这样的设置在进行刻蚀接触窗口的流片工艺时，容易产生由于不平整导致的刻蚀不完整等情况，从而影响芯片性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种沟槽型IG本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构，其特征在于：包括衬底（1），所述衬底（1）的上表面上开设有至少一条有源沟槽（2）和至少两条虚拟沟槽（3），且至少一条有源沟槽（2）与至少两条虚拟沟槽（3）交替平行排列；所述有源沟槽（2）内填充有有源沟槽多晶硅（5），所述虚拟沟槽（3）内填充有虚拟沟槽多晶硅（12）；所述衬底（1）上表面的一端设有栅极总线多晶硅（6），所述有源沟槽（2）一端的有源沟槽多晶硅（5）与栅极总线多晶硅（6）相连接；所述衬底（1）上表面上设有多晶硅桥（7），两相邻有源沟槽（2）之间的所有虚拟沟槽（3）均与多晶硅桥（7）相连接，所述虚拟沟槽（3）内的虚拟沟槽多晶硅（12）与多晶硅桥...

【技术特征摘要】
1.一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构，其特征在于：包括衬底（1），所述衬底（1）的上表面上开设有至少一条有源沟槽（2）和至少两条虚拟沟槽（3），且至少一条有源沟槽（2）与至少两条虚拟沟槽（3）交替平行排列；所述有源沟槽（2）内填充有有源沟槽多晶硅（5），所述虚拟沟槽（3）内填充有虚拟沟槽多晶硅（12）；所述衬底（1）上表面的一端设有栅极总线多晶硅（6），所述有源沟槽（2）一端的有源沟槽多晶硅（5）与栅极总线多晶硅（6）相连接；所述衬底（1）上表面上设有多晶硅桥（7），两相邻有源沟槽（2）之间的所有虚拟沟槽（3）均与多晶硅桥（7）相连接，所述虚拟沟槽（3）内的虚拟沟槽多晶硅（12）与多晶硅桥（7）相连接；
还包括介质层（8），所述介质层（8）覆盖于衬底（1）的整个上表面以及栅极总线多晶硅（6）和多晶硅桥（7）的上表面；所述多晶硅桥（7）上表面的介质层（8）内设有接触窗口（10），所述接触窗口（10）上下贯穿整个介质层（8）；所述接触窗口（10）远离栅极总线多晶硅（6）的一端与虚拟沟槽（3）靠近栅极总线多晶硅（6）的一端之间的距离L2>...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑婷婷，李宇柱，李伟邦，骆健，董长城，叶枫叶，
申请(专利权)人：南瑞联研半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32