【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
作为构成移动体终端的高频信号放大用的功率放大器模块的有源元件，主要使用异质结双极晶体管(HBT)(专利文献1)。作为该HBT所需的理想特性，有高效率、高增益、高输出、以及高耐压等各项目。在最近受到关注的信封跟踪系统中，需要以较高的集电极电压动作的HBT。为了实现HBT的高电压动作，需要扩大安全动作区域(SOA：SafeOpeartingArea)。专利文献1：日本特开2005－11951号公报在表示集电极电流－集电极电压特性(Ic－Vce特性)的曲线图中，若提高HBT的集电极电压，则SOA的范围内与范围外的分界线(SOA线)缓缓地降低。根据本申请的专利技术人的评价实验，发现了在某个集电极电压下出现SOA线不连续地降低的现象。将SOA线不连续地降低时的集电极电压称为迁移电压。若使动作电压等于或高于迁移电压，则在HBT动作中负载发生变动的情况下，实际的动作范围偏离SOA的范围的危险性变高。若动作范围偏离SOA的范围，则存在HBT损伤的情况。为了即使负载发生...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：/n配置在基板上的集电极层、基极层、发射极层、以及配置在上述发射极层的一部分区域上的发射极台面层；/n基极电极，配置在俯视时不与上述发射极台面层重叠的区域，向上述基极层流动基极电流；/n发射极电极，配置在上述发射极台面层上，向上述发射极台面层流动发射极电流，/n在俯视时，上述发射极台面层具有在第一方向上长的形状，/n上述基极电极包含：基极电极主部、以及与上述基极电极主部连续的基极电极焊盘部，在俯视时上述基极电极主部具有在上述第一方向上长的形状，与上述发射极台面层在与上述第一方向正交的第二方向上隔着间隔配置，上述基极电极焊盘部与上述发射极台面层在上述...
【技术特征摘要】
20190508 JP 2019-0883871.一种半导体装置，具备：
配置在基板上的集电极层、基极层、发射极层、以及配置在上述发射极层的一部分区域上的发射极台面层；
基极电极，配置在俯视时不与上述发射极台面层重叠的区域，向上述基极层流动基极电流；
发射极电极，配置在上述发射极台面层上，向上述发射极台面层流动发射极电流，
在俯视时，上述发射极台面层具有在第一方向上长的形状，
上述基极电极包含：基极电极主部、以及与上述基极电极主部连续的基极电极焊盘部，在俯视时上述基极电极主部具有在上述第一方向上长的形状，与上述发射极台面层在与上述第一方向正交的第二方向上隔着间隔配置，上述基极电极焊盘部与上述发射极台面层在上述第一方向上隔着间隔配置，
上述半导体装置还具备：
绝缘膜，配置在上述发射极电极以及上述基极电极上，并设置有在俯视时分别包含于上述发射极电极以及上述基极电极焊盘部的发射极接触孔以及基极接触孔；
发射极布线，配置在上述绝缘膜上，通过上述发射极接触孔来与上述发射极电极连接；以及
基极布线，配置在上述绝缘膜上，通过上述基极接触孔来与上述基极电极焊盘部连接，
在上述第一方向上，上述发射极台面层的上述基极布线侧的边缘与上述发射极接触孔的上述基极布线侧的边缘的间隔比上述发射极台面层与上述基极布线的间隔窄。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述基极电极与上述发射极台面层的间隔的最小值比上述基极布线的上述发射极布线侧的边缘与上述发射极布线的上述基极布线侧的边缘的间隔窄。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
上述基极布线的边缘与上述发射极台面层的边缘在上述第一方向的间隔为1.5μm以上2.5μm以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，
在上述第一方向上，上述发射极电极的上述基极布线侧的边缘与上述发射极接触孔的上述基极布线侧的边缘的间隔比上述发射极电极与上述基极电极的间隔窄。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，
在上述第一方向上，上述发射极台面层的上述基极布线侧的边缘与上述发射极接触孔的上述基极布线侧的边缘的间隔比上述发射极台面层与上述基极电极焊盘部的间隔窄。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，
上述发射极电极的上述基极布线侧的边缘与上述发射极接触孔的上述基极布线侧的边缘在上述第一方向的间隔为0.5μm以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，
上述...
【专利技术属性】
技术研发人员：梅本康成，小屋茂树，大部功，井手野馨，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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