TFT器件及其制备方法、阵列基板技术

本发明专利技术提供一种TFT器件及其制备方法、阵列基板，栅极包括不同层设置的第一子栅极和第二子栅极，在TFT器件膜层厚度上第一子栅极位于有源层与源极及漏极之间，第二子栅极与源极及漏极同层、同一道光罩制备而成，可节约一道光罩，第二子栅极不受像素单元开口的影响，第二子栅极包括间隔设置的两个栅极金属图案，两个栅极金属图案均与同一条扫描线电性连接，同时对第一子栅极充电，提升栅极的充电率，另外第一子栅极优选为金属钼，第二子栅极优选为金属铝或铝合金，金属铝的阻抗比金属钼的低，降低栅极的阻抗，进一步提高栅极充电率，满足高清晰度显示面板的分辨率、刷新率、大尺寸的需求。

【技术实现步骤摘要】
TFT器件及其制备方法、阵列基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT器件及其制备方法、阵列基板。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是平板显示装置的重要组成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开关装置和驱动装置用在如LCD(LiquidCrystalDisplay，LCD)显示装置与OLED(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)显示装置中。薄膜晶体管具有多种结构，传统底栅结构的薄膜晶体管，由于栅极与源/漏电极之间重叠面积较大，产生了较大的寄生电容，会导致信号的延迟，且制作出来的薄膜晶体管尺寸较大，因而限制了其应用；顶栅型(Topgate)薄膜晶体管中的源/漏电极与栅极之间没有重叠，因此具有更低的寄生电容和更好的延展性，能够降低信号传输过程中的延迟，同时采用自对准的制备方法，有利于制备短沟道器件，提高器件稳定特性，因此顶栅型薄膜晶体管结构就成为目前主要的发展方向。如图1所示，现有技术中顶栅型薄膜晶体管100包括从下到上依次层叠设置于衬底基板101上的遮光层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT器件，其特征在于，至少包括遮光层、有源层、栅极、源极以及漏极，其中，所述栅极包括不同层设置的第一子栅极和第二子栅极，在所述TFT器件的膜层厚度上，所述第一子栅极位于所述有源层与所述源极及所述漏极之间，所述第一子栅极与所述第二子栅极电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种TFT器件，其特征在于，至少包括遮光层、有源层、栅极、源极以及漏极，其中，所述栅极包括不同层设置的第一子栅极和第二子栅极，在所述TFT器件的膜层厚度上，所述第一子栅极位于所述有源层与所述源极及所述漏极之间，所述第一子栅极与所述第二子栅极电性连接。


2.根据权利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述有源层呈U型，所述有源层包括源极掺杂区、漏极掺杂区、以及位于所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区之间的沟道区，所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区分别位于所述U型的两端，所述第一子栅极覆盖所述U型中部，未覆盖所述U型的底部。


3.根据权利要求2所述的TFT器件，其特征在于，在所述TFT器件的膜层厚度上，所述源极与所述U型一侧重叠，所述漏极与所述U型另一侧的端部重叠，所述源极通过源极接触孔与所述源极掺杂区电性连接，所述漏极通过漏极接触孔与所述漏极掺杂区电性连接。


4.根据权利要求3所述的TFT器件，其特征在于，所述第二子栅极至少包括一个栅极金属图案，所述第二子栅极与所述源极及所述漏极同层设置，所述栅极金属图案通过过孔与所述第一子栅极的表面或侧面电性连接。


5.根据权利要求4所述的TFT器件，其特征在于，所述第二子栅极包括间隔设置的两个所述栅极金属图案，两个所述栅极金属图案分别位于所述U型两侧。


6.根据权利要求5所述的TFT器件，其特征在于，两个所述栅极金属图案通过过孔与同一根扫描线电性连接，两个所述栅极金属图案同时对所述第一子栅极充电，待所述第一子栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄建龙，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42