铁电存贮器装置及其形成方法、和集成芯片制造方法及图纸

本揭示内容的各实施方式是关于铁电存贮器装置。铁电存贮器装置包括设置在半导体基板中的一对源极/漏极区域。栅极介电质设置在半导体基板上方和介于源极/漏极区域之间。第一导电结构设置在栅极介电质上。铁电结构设置在第一导电结构上。第二导电结构设置在铁电结构上，其中第一导电结构和第二导电结构两者都具有一整体负电性，此整体负电性大于或等于铁电结构的整体负电性。

【技术实现步骤摘要】
铁电存贮器装置及其形成方法、和集成芯片
本揭示内容是关于铁电存贮器装置。
技术介绍
许多现代电子装置包括非挥发性存贮器。非挥发性存贮器是能够在无电力的情况下储存数据的电子存贮器。下一代非挥发性存贮器的有前景的候选者是铁电随机存取存贮器(ferroelectricrandom-accessmemory；FeRAM)。铁电随机存取存贮器具有相对简单的结构，并且与互补型金属氧化物半导体(complementarymetal–oxide–semiconductor；CMOS)逻辑制造制程兼容。
技术实现思路
本揭示内容的一态样提供了一种铁电存贮器装置，包含：一对源极/漏极区域、栅极介电质、第一导电结构、铁电结构、以及第二导电结构。该对源极/漏极区域设置在一半导体基板中。栅极介电质设置在半导体基板上方和在介于所述源极/漏极区域之间。第一导电结构设置在栅极介电质上。铁电结构设置在第一导电结构上。第二导电结构设置在铁电结构上，其中第一导电结构和第二导电结构两者具有整体负电性，此整体负电性大于或等于铁电结构的整体负电性。本揭示内容的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铁电存贮器装置，其特征在于，包含：/n一对源极/漏极区域，设置在一半导体基板中；/n一栅极介电质，设置在该半导体基板上方和在介于所述源极/漏极区域之间；/n一第一导电结构，设置在该栅极介电质上；/n一铁电结构，设置在该第一导电结构上；以及/n一第二导电结构，设置在该铁电结构上，其中该第一导电结构和该第二导电结构两者具有一整体负电性，该整体负电性大于或等于该铁电结构的一整体负电性。/n

【技术特征摘要】
20190507 US 16/405,0581.一种铁电存贮器装置，其特征在于，包含：
一对源极/漏极区域，设置在一半导体基板中；
一栅极介电质，设置在该半导体基板上方和在介于所述源极/漏极区域之间；
一第一导电结构，设置在该栅极介电质上；
一铁电结构，设置在该第一导电结构上；以及
一第二导电结构，设置在该铁电结构上，其中该第一导电结构和该第二导电结构两者具有一整体负电性，该整体负电性大于或等于该铁电结构的一整体负电性。


2.如权利要求1所述的铁电存贮器装置，其特征在于，更包含：
一栅极电极，设置在该第二导电结构上。


3.如权利要求1所述的铁电存贮器装置，其特征在于，其中：
该第一导电结构的相对最外侧壁间隔开一第一距离；
该铁电结构的相对最外侧壁间隔开一第二距离，该第二距离与该第一距离相同；以及
该第二导电结构的相对最外侧壁间隔开一第三距离，该第三距离与该第二距离相同。


4.如权利要求1所述的铁电存贮器装置，其特征在于，其中介于该第一导电结构的一底表面与该第二导电结构的一上表面之间的一距离大于或等于介于该栅极介电质的一上表面与该栅极介电质的一底表面之间的一距离。


5.一种集成芯片，其特征在于，包含：
一半导体装置，设置在一半导体基板上；
一第一层间介电质结构，设置在该半导体装置和该半导体基板上方；
一第一导电通孔，设置在该第一层间介电质结构中，并且电性耦接至该半导体装置；以及
一极化切换结构，设置在该第一层间介电质结构上方并且电性耦接至该第一导电通孔，其中该极化切换结构包含设置在介于一第一导电结构与一第二导电结构之间的一铁电结构，且其中该第一导电结构和该第二导电结构两者都具有一整体负电性，该整体负电性大于或等于该铁电结构的一整体负电性。


6.如权利要求5所述的集成芯片，其特征在于，更包含：
一第一电极和一第二电极，设置在该极化切换结构的相对侧上，其中该第一电极接触该第一导电结构和该第一导电通孔两者，且其中该第二电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢玮庭，蔡竣扬，黄国钦，涂国基，黄建达，吴承润，陈朝阳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71