一种沟槽栅IGBT器件制造技术

本发明专利技术公开一种沟槽栅IGBT器件，包括从下至上依次层叠设置的集电极金属层、集电区、场截止层、漂移区、沟槽结构和发射极金属层；所述沟槽结构包括假栅结构和栅极结构，其中假栅结构位于漂移区的上方侧面，栅极结构位于漂移区的上方中部；所述假栅结构包括窄部和宽部，且宽部位于窄部的下方；所述栅极结构与窄部之间的漂移区上方设有载流子存储层，载流子存储层的上方设有P型基区；所述P型基区的上方设有P+发射区与N+发射区，P+发射区、N+发射区分别与发射极金属层电连接。本发明专利技术有效地降低米勒电容，提高IGBT开关速度，降低IGBT开关损耗以及降低器件导通压降，同时兼顾改善IGBT的多种性能。

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽栅IGBT器件
本专利技术涉及半导体功率器件
，尤其涉及一种沟槽栅IGBT器件。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种MOS场效应与双极型晶体管复合的新型电力电子器件。它不但具有MOSFET输入电阻大、易于驱动、控制简单的优点；又具有双极型晶体管导通压降低、通态电流大的优点。现已成为现代电力电子电路中的核心元器件之一，广泛应用于交通、能源、工业、家用电器等领域。从IGBT专利技术以来，人们不断致力于改善IGBT的特性，栅极结构从最初的平面型发展到沟槽结构。在IGBT的性能改善过程中，如何同时兼顾降低米勒电容、提高开关速度、降低开关损耗以及降低导通压降等是研究改善的重难点。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种沟槽栅IGBT器件，有效地降低米勒电容，提高IGBT开关速度，降低IGBT开关损耗以及降低器件导通压降，同时兼顾改善IGBT的多种性能。为实现上述目的，采用以下技术方案：一种沟槽栅IGBT器件，包括从下至上依次层叠设置的集电极金属层、集电区、场截止层、漂移区、沟槽结构和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽栅IGBT器件，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的集电极金属层、集电区、场截止层、漂移区、沟槽结构和发射极金属层；所述沟槽结构包括假栅结构和栅极结构，其中假栅结构位于漂移区的上方侧面，栅极结构位于漂移区的上方中部；所述假栅结构与发射极金属层电连接，栅极结构经第一介质层与发射极金属层隔离；所述假栅结构包括窄部和宽部，且宽部位于窄部的下方；所述栅极结构与窄部之间的漂移区上方设有载流子存储层，载流子存储层的上方设有P型基区；所述P型基区的上方设有P+发射区与N+发射区，P+发射区、N+发射区分别与发射极金属层电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种沟槽栅IGBT器件，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的集电极金属层、集电区、场截止层、漂移区、沟槽结构和发射极金属层；所述沟槽结构包括假栅结构和栅极结构，其中假栅结构位于漂移区的上方侧面，栅极结构位于漂移区的上方中部；所述假栅结构与发射极金属层电连接，栅极结构经第一介质层与发射极金属层隔离；所述假栅结构包括窄部和宽部，且宽部位于窄部的下方；所述栅极结构与窄部之间的漂移区上方设有载流子存储层，载流子存储层的上方设有P型基区；所述P型基区的上方设有P+发射区与N+发射区，P+发射区、N+发射区分别与发射极金属层电连接。


2.根据权利要求1所述的沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述宽部包...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭乔，林泳浩，李伟聪，
申请(专利权)人：珠海市浩辰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44