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本发明公开一种沟槽栅IGBT器件，包括从下至上依次层叠设置的集电极金属层、集电区、场截止层、漂移区、沟槽结构和发射极金属层；所述沟槽结构包括假栅结构和栅极结构，其中假栅结构位于漂移区的上方侧面，栅极结构位于漂移区的上方中部；所述假栅结构包括...
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