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本揭示内容的各实施方式是关于铁电存贮器装置。铁电存贮器装置包括设置在半导体基板中的一对源极/漏极区域。栅极介电质设置在半导体基板上方和介于源极/漏极区域之间。第一导电结构设置在栅极介电质上。铁电结构设置在第一导电结构上。第二导电结构设置在铁...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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