温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种TFT器件及其制备方法、阵列基板，栅极包括不同层设置的第一子栅极和第二子栅极，在TFT器件膜层厚度上第一子栅极位于有源层与源极及漏极之间，第二子栅极与源极及漏极同层、同一道光罩制备而成，可节约一道光罩，第二子栅极不受像素单元开...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。