一种RFID芯片上的ESD装置制造方法及图纸

静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的使用环境并未改变，因此要进一步优化电路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为IC设计者主要考虑的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种RFID芯片上的ESD装置
本专利技术属于集成电路
，具体来讲，属于EEPROM存储器和RFID芯片的设计领域。
技术介绍
RFID指无线射频识别，是一种通信技术，可通过无线电讯号识别特定目标并读写相关数据，而无需识别系统与特定目标建立物理或光学接触。RFID可以当作每一件物体独一无二的身份证，也是物联网中每个物体进行识别、通信和互联的基础。近年来，随着大规模集成电路、网络通信、信息安全等技术的发展，RFID技术进入商业化应用阶段。由于具有高速移动物体识别、多标签同时识别和非接触识别等特点，RFID技术显示出巨大的发展潜力与应用空间。RFID的应用领域如下：物流、零售、防伪、交通、身份证识别、医疗、食品、汽车等等。工作频率是RFID最重要的技术指标，RFID的频段在国际上有公认的划分：低频、高频、超高频、微波。高频RFID是目前最为成熟的应用，超高频RFID功能指标最优秀，具有读取距离更远、高速移动物体识别、识别速度快、寿命长、高可靠性等优点。随着超高频RFID制造技术的成熟，其成本正在快速下降，超高频RFID市场快速增长，未本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.本专利技术提出一种RFID芯片上的ESD装置，该装置的原理是利用sealring参与ESD放电：当ESD发生时，由于sealring的特性可以迅速并且有效的将ESD电流引入地线中，起到了保护芯片提高可靠性的重要作用。/n

【技术特征摘要】
1.本发明提出一种RFID芯片上的ESD装置，该装置的原理是利用sealring参与ESD放电：当ESD发生时，由于sealring的特性可以迅速并且有效的将ESD电流引入地线中，起到了保护芯片提高可靠性的重要作用。


2.如权利要求1所述的ESD装置，其特征在于所述的，sealring...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦强，张建伟，
申请(专利权)人：上海明矽微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31