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静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的使用环境并未改...
该专利属于上海明矽微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海明矽微电子有限公司授权不得商用。

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