一种物理溅射的硬件配置及系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种物理溅射的硬件配置，包括一个靶构件，被配置为阴极，用于产生溅射粒子；以及一个基板，用于沉积所述溅射粒子，形成沉积膜。其中，所述靶构件至少包括一个第一靶构件和一个第二靶构件，两者相互独立；所述第一靶构件在其长度方向具有一个基本均匀的第一侵蚀率；以及所述第二靶构件在其长度方向具有一个基本均匀的第二侵蚀率。本实用新型专利技术还公开了一种物理溅射的系统，包括上述物理溅射的硬件配置和其它配件。

【技术实现步骤摘要】
一种物理溅射的硬件配置及系统相关申请本技术申请要求新加坡专利申请第10201902041W号的申请日2019年03月07日为本技术的优先权日。所述新加坡优先权专利申请的题目为“用于线性物理溅射系统的硬件配置和使用该系统在基板上沉积膜的方法。(即原英文标题AHardwareConfigurationforaLinearMagnetronSputteringSystemandaMethodologyforDepositingaFilmonaSubstrateUsingtheSame)。此新加坡优先权专利申请的全部或有关内容以此引用的方式并入此中国技术(专利)申请。
本申请属于物理气相沉积领域。具体地，本申请涉及一种物理溅射的硬件配置及系统。
技术介绍
磁控溅射技术通过产生磁场来控制等离子体，用于溅射沉积。现有技术中存在几种类型的磁控溅射的硬件配置，例如，美国专利US5328585和US5298137。其配置的共同特征是，具有一个耦合到直流(DC)电源的细长靶构件，一个位于所述靶构件上方的磁体配置，以及一个将基板移动到所述靶构件下方的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种物理溅射的硬件配置，包括：/n一个靶构件，被配置为阴极，以用于产生溅射粒子；/n一个基板，以用于沉积所述溅射粒子形成沉积膜；以及/n一个电源，被配置为连接于上述靶构件，以用于将上述靶构件配置为阴极；/n其特征在于：/n所述靶构件至少包括一个第一靶构件和一个第二靶构件，两者相互独立；/n所述第一靶构件在其长度方向具有一个均匀的第一侵蚀率；以及/n所述第二靶构件在其长度方向具有一个均匀的第二侵蚀率。/n

【技术特征摘要】
20190307 SG 10201902041W1.一种物理溅射的硬件配置，包括：
一个靶构件，被配置为阴极，以用于产生溅射粒子；
一个基板，以用于沉积所述溅射粒子形成沉积膜；以及
一个电源，被配置为连接于上述靶构件，以用于将上述靶构件配置为阴极；
其特征在于：
所述靶构件至少包括一个第一靶构件和一个第二靶构件，两者相互独立；
所述第一靶构件在其长度方向具有一个均匀的第一侵蚀率；以及
所述第二靶构件在其长度方向具有一个均匀的第二侵蚀率。


2.如权利要求1所述的物理溅射的硬件配置，其特征在于，还包括：
一个磁体配置，其至少包括一个第一外磁体、一个第二外磁体和一个位于所述第一外磁体和所述第二外磁体之间的中心磁体；其中，
所述第一靶构件位于所述第一外磁体和所述中心磁体之间；
所述第二靶构件位于所述第二外磁体和所述中心磁体之间；
所述磁体配置产生的磁场均匀，并完全覆盖所述靶构件。


3.如权利要求1所述的物理溅射的硬件配置，其特征在于：
所述第一靶构件和所述第二靶构件具有矩形形状；其中，
所述第一靶构件具有一个第一靶构件长度，一个第一靶构件宽度和一个第一靶构件高度；
所述第二靶构件具有一个第二靶构件长度，一个第二靶构件宽度和一个第二靶构件高度；
所述第一靶构件长度和第二靶构件长度比所述基板的尺寸大20毫米至40毫米；
所述第一靶构件宽度和第二靶构件宽度在10毫米至100毫米的范围内；
所述第一靶构件高度和第二靶构件高度在5毫米至30毫米的范围内。


4.如权利要求1所述的物理溅射的硬件配置，其特征在于：
所述第一靶构件还进一步包括至少两个相互独立的第一小片；
所述第二靶构件还进一步包括至少两个相互独立的第二小片。


5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：卫克拉玛那雅卡·苏尼尔，
申请(专利权)人：爱莱私人有限公司，
类型：新型
国别省市：新加坡;SG