穿隧效应元件及物理量/电气量转换器制造技术

本发明专利技术提供一种不受因下部电极和上部电极的热膨胀系数差异而造成的漂移的影响、并且不易受来自外来磁场的影响的具有通用性的穿隧效应元件。所公开穿隧效应元件（１）具有：形成有穿隧势垒的绝缘层（１１）；形成于绝缘层（１１）下面的具有导电性的下部电极（１２）；形成于绝缘层（１１）上面的具有导电性的上部电极（１３）；形成于绝缘层（１１）、下部电极（１２）和上部电极（１３）周围，把检测对象物的举动传递给绝缘层（１１）的传递部件（５）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及接受加速度、压力、荷重、位移等物理量而产生变形，并且示出与上述变形相对应的电阻变化的穿隧效应元件，以及根据该穿隧效应元件的电阻变化把上述物理量变换为电气量的加速度转换器、压力转换器、荷重转换器、位移转换器等的物理量/电气量转换器。
技术介绍
在以往的微小检测元件中，有在用于对检测对象物的压力变化进行检测的传感器部上设置使磁部件的一部分具有磁致伸缩部的穿隧磁电阻效应元件的元件(例如，参照专利文献1)。以下，把该技术称为第1现有示例。另外，在以往的具有穿隧磁电阻效应元件的应力传感器中，有利用磁屏蔽包围穿隧磁电阻效应元件的传感器(例如，参照专利文献2)。以下，把该技术称为第2现有示例。根据上述的第1和第2现有示例，与电阻变化量小到几百mΩ的应变计相比，具有以下两个优点，(1)由于不需要惠斯登电桥电路等，所以电路结构简单，(2)由于有助于压敏的面积较小，所以能够检测细微部位的局部位移。日本特开2002-148132号公报(权利要求1， 、 ～ ，图4、图5)日本特开2003-37312号公报(权利要求1， ～ ，图1)但是，在上述的第1现有示例中，(1)在检测动作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种穿隧效应元件，其特征在于，具有：绝缘层，其形成有穿隧势垒；下部电极，其具有导电性，且形成于所述绝缘层的下表面；上部电极，其具有导电性，且形成于所述绝缘层的上表面；以及传递部件，其形成于所述绝缘层、所述下部 电极和所述上部电极周围，并把检测对象物的举动传递给所述绝缘层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：桑岛哲哉，太田尚城，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]