与射频组件共面的缺陷接地结构制造技术

与射频组件共面的缺陷接地结构。一种微波或射频RF器件包括基板，该基板包括电绝缘材料。该基板具有第一表面和与第一表面平行的第二表面。该RF器件还包括设置在基板的第一表面上的RF组件。该RF器件还包括设置在基板的第二表面上的导电层，导电层形成与RF组件电绝缘的接地平面。该RF器件还包括设置在基板的与第一表面共面的表面上的缺陷接地结构，其中，该缺陷接地结构电连接到导电层，并且其中，该缺陷接地结构包括与RF组件相邻并且相对于RF组件横向延伸的多个横向延伸构件。

【技术实现步骤摘要】
与射频组件共面的缺陷接地结构
本专利技术涉及与射频组件共面的缺陷接地结构。
技术介绍
微波和射频(RF)电路可以包括诸如可以对输入信号进行滤波以生成滤波输出信号的滤波器的组件。滤波器可以包括例如带通滤波器、高通滤波器、低通滤波器等。
技术实现思路
在一个实施方式中，一种RF器件包括具有第一表面和与所述第一表面平行的第二表面的基板，所述基板包括电绝缘材料。所述RF器件还包括设置在所述基板的所述第一表面上的RF组件。所述RF器件还包括设置在所述基板的所述第二表面上的导电层，所述导电层形成与所述RF组件电绝缘的接地平面。所述RF器件还包括设置在所述基板的与所述第一表面共面的表面上的缺陷接地结构，其中，所述缺陷接地结构电连接到所述导电层，并且其中，所述缺陷接地结构包括与所述RF组件相邻并且相对于所述RF组件横向延伸的多个横向延伸构件。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件中的两个相邻构件限定一间隙，所述间隙具有在与所述RF组件的纵轴平行的方向上的尺寸。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件包括第一横向延伸构件以及第二横向延伸构件，所述第一横向延伸构件设置在所述RF组件的第一侧，并且所述第二横向延伸构件设置在所述RF组件的与所述第一侧相反的第二侧。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件中的各个横向延伸构件具有与所述RF组件的纵轴垂直的纵轴。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件中的各个横向延伸构件具有与所述RF组件的纵轴不垂直的纵轴。在一些实施方式中，所述缺陷接地结构的形状是关于所述RF组件的纵轴对称的。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件被不均匀地间隔开。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件中的至少一个横向延伸构件具有非线性形状。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件中的至少一个横向延伸构件具有扇形形状。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件中的至少一个横向延伸构件具有T形形状。在一些实施方式中，所述缺陷接地结构限定通过连接所述多个横向延伸构件中的至少两个横向延伸构件而形成的至少一个回路(例如，利用或使用至少一个导电区域和/或至少一个互连构件)，所述至少一个回路围绕所述基板的所述第一表面的露出区域延伸。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件具有在与所述RF组件的纵轴的方向平行的方向上测量的不统一宽度。在一些实施方式中，所述RF组件包括输入端子和输出端子，其中，所述多个横向延伸构件与所述RF组件的位于所述输入端子与所述输出端子之间的一部分相邻地设置。在一些实施方式中，所述多个横向延伸构件的、在与所述RF组件的纵轴正交并且与所述RF组件共面的维度中测量到的长度是所述缺陷接地结构的谐振频率的函数。在一些实施方式中，所述缺陷接地结构的谐振频率大于所述RF组件的截止频率，其中，所述RF组件是低通滤波器。在一些实施方式中，所述器件还包括带通滤波器，所述带通滤波器设置在所述基板的所述第一表面上并且与所述RF组件联接，其中，所述缺陷接地结构的谐振频率大于所述带通滤波器的最高通带频率。在一些实施方式中，所述缺陷接地结构的谐振频率具有1GHz至300GHz范围内的值。在一些实施方式中，所述器件还包括设置在所述基板的所述第一表面上的导电盖，所述导电盖与所述缺陷接地结构电联接，其中，所述导电盖覆盖所述RF组件。在一些实施方式中，所述缺陷接地结构包括在与所述RF组件的纵轴平行的方向上延伸的导电区域，其中，所述导电区域与覆盖所述RF组件的导电盖电联接。在一些实施方式中，所述缺陷接地结构包括用于附接覆盖所述RF组件的导电盖的通孔，所述通孔在所述缺陷接地结构、所述导电盖与所述导电层之间提供电连接。前面的概述仅仅是例示性的，而非以任何方式进行限制。除了上述例示方面、实施方式以及特征以外，进一步的方面、实施方式以及特征通过参照下列附图和详细描述而变清楚。附图说明本公开的前述和其它特征根据下面结合附图的描述和所附权利要求将变得更清楚。应当明白，这些附图仅描绘了根据本公开的几个实施方式，并因此不被视为对其范围的限制，本公开通过使用附图以附加特异性和细节进行描述。图1示出了根据本公开的实施方式的示例RF器件的等距视图。图2示出了包括第一示例共面缺陷接地结构(DGS)的RF器件的基板的俯视图。图3和图4示出了没有共面DGS的图2所示的RF组件和对应的频率响应曲线。图5示出了当与图2所示的共面DGS结合使用时，RF组件的频率响应曲线。图6示出了包括第二示例共面DGS的RF器件的基板的俯视图。图7示出了当与图6所示的共面第二示例DGS结合使用时，RF组件的频率响应曲线。图8示出了包括第三示例共面DGS的RF器件的基板的俯视图。图9示出了当与图8所示的共面第三示例DGS结合使用时，RF组件的频率响应曲线。图10示出了包括第四示例共面DGS的RF器件的基板的俯视图。图11示出了包括第五示例共面DGS的RF器件的基板的俯视图。图12示出了图1中所示的RF器件的横截面视图。图13示出了包括嵌入式RF组件和嵌入式共面DGS的RF器件的横截面视图。图14示出了包括嵌入式RF组件和嵌入式共面DGS的带状线RF器件的横截面视图。图15示出了包括带通滤波器和具有共面DGS的低通滤波器的RF器件的基板的俯视图。图16示出了当与图10所示的共面第四示例DGS结合使用时，RF组件的频率响应曲线。图17示出了包括图11中示出的第五示例共面DGS的变型的RF器件的基板的俯视图。在下面的详细描述中，对附图进行参照，其形成了本描述的一部分。在图中，类似符号通常标识类似组件，除非上下文另有规定。在该详细描述、附图以及权利要求中描述的例示性实施方式不旨在进行限制。在不脱离在此提出的主旨的精神或范围的情况下，可以利用其它实施方式，并且可以进行其它改变。应当容易地明白，如在此一般描述且在附图中例示的本公开的方面可以按宽泛种类的不同配置来设置、代替、组合以及设计，其全部明确地被设想并且成为本公开的一部分。具体实施方式本公开描述了用于使用微波或RF器件(在本文中统称为“RF器件”)进行信号处理的器件和技术。RF器件可以包括具有信号端子以及至少一个接地平面的基板。可以在基板上形成一个或更多个RF电路，其中RF电路可以包括诸如滤波器、放大器、谐振器、移相器等组件。在一些情况下，RF器件可以包括如带通滤波器的滤波器，所述滤波器可以包括、提供和/或限定频谱中的通带。带通滤波器可以使位于通带之外的输入信号的频率分量衰减。然而，带通滤波器的频率响应在高于期望通带的频率可能具有重复的通带。这种高频通带可以被称为谐波，并且可能不可取地将输入信号的高频分量引入到输出信号中。减轻或抑制通带频率响应中谐波影响的一种方法是将低通滤波器与带通滤波器级联(例如，形成组合的带通和低通滤波器)，其中低通滤波器的截止频率可以位于谐波频率之下。然而，低通滤波器的抑制通常是不充分的。改善低通滤波器所提供的抑制的一种方法是使低通滤本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频RF器件，该RF器件包括：/n基板，该基板具有第一表面和与所述第一表面平行的第二表面，所述基板包括电绝缘材料；/nRF组件，该RF组件设置在所述基板的所述第一表面上；/n导电层，该导电层设置在所述基板的所述第二表面上，所述导电层形成与所述RF组件电绝缘的接地平面；以及/n缺陷接地结构，该缺陷接地结构设置在所述基板的与所述第一表面共面的表面上，所述缺陷接地结构电连接到所述导电层，所述缺陷接地结构包括与所述RF组件相邻并且相对于所述RF组件横向延伸的多个横向延伸构件。/n

【技术特征摘要】
20190506 US 62/844,0741.一种射频RF器件，该RF器件包括：
基板，该基板具有第一表面和与所述第一表面平行的第二表面，所述基板包括电绝缘材料；
RF组件，该RF组件设置在所述基板的所述第一表面上；
导电层，该导电层设置在所述基板的所述第二表面上，所述导电层形成与所述RF组件电绝缘的接地平面；以及
缺陷接地结构，该缺陷接地结构设置在所述基板的与所述第一表面共面的表面上，所述缺陷接地结构电连接到所述导电层，所述缺陷接地结构包括与所述RF组件相邻并且相对于所述RF组件横向延伸的多个横向延伸构件。


2.根据权利要求1所述的RF器件，其中，所述多个横向延伸构件中的两个相邻的横向延伸构件限定一间隙，所述间隙具有在与所述RF组件的纵轴平行的方向上的尺寸。


3.根据权利要求1所述的RF器件，其中，所述多个横向延伸构件包括第一横向延伸构件和第二横向延伸构件，所述第一横向延伸构件设置在所述RF组件的第一侧，并且所述第二横向延伸构件设置在所述RF组件的与所述第一侧相反的第二侧。


4.根据权利要求1所述的RF器件，其中，所述多个横向延伸构件中的各个横向延伸构件具有与所述RF组件的纵轴垂直的纵轴。


5.根据权利要求1所述的RF器件，其中，所述多个横向延伸构件中的各个横向延伸构件具有不与所述RF组件的纵轴垂直的纵轴。


6.根据权利要求1所述的RF器件，其中，所述缺陷接地结构的形状是关于所述RF组件的纵轴对称的。


7.根据权利要求1所述的RF器件，其中，所述多个横向延伸构件不均匀地间隔开。


8.根据权利要求1所述的RF器件，其中，所述多个横向延伸构件中的至少一个横向延伸构件具有非线性形状。


9.根据权利要求1所述的RF器件，其中，所述多个横向延伸构件中的至少一个横向延伸构件具有扇形形状。


10.根据权利要求1所述的RF器件，其中，所述多个横向延伸构件中的至少一个横向延伸构件具有T形形状。...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·奥尔顿，
申请(专利权)人：楼氏卡泽诺维亚公司，
类型：发明
国别省市：美国;US