一种量子点层图案化的方法及量子点发光器件的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种量子点层图案化的方法及量子点发光器件的制作方法，本发明专利技术首先在基底上形成表面具有配体的量子点的膜层，然后采用预设波长的光照射膜层的曝光区域；由于配体被配置为在预设波长的光照射下，配体在第一溶剂中的溶解性不同，因此曝光区域的配体和未曝光区域的配体在第一溶剂中的溶解性不同，以使曝光区域的量子点和未曝光区域的量子点在第一溶剂中的溶解性不同，因此可以采用第一溶剂清洗被光照射后的膜层，以在曝光区域或未曝光区域形成图案化的量子点层，即完成量子点层的图案化。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点层图案化的方法及量子点发光器件的制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种量子点层图案化的方法及量子点发光器件的制作方法。
技术介绍
随着量子点制备技术的深入发展，量子点的稳定性以及发光效率不断提升，量子点电致发光二极管(QuantumLightEmittingDiode，QLED)的研究不断深入，QLED在显示领域的应用前景日渐光明。但是，目前QLED的生成效率还没有达到量产水平，其中最重要的原因是QLED的高分辨率图案化技术目前还没有取得突破。量子点是零维的纳米半导体材料，量子点三个维度的尺寸都不大于其对应的半导体材料的激子玻尔半径的两倍，现有技术制造图案化的量子点时，由于量子点的无机纳米粒子特性，无法通过蒸镀成膜并图案化的方法制作图案化的量子点。现有技术无法制作高分辨率的，性能良好的量子点。
技术实现思路
本专利技术实施例提供的一种量子点层图案化的方法及量子点发光器件的制作方法，用以形成高分辨率、性能良好的量子点。因此，本专利技术实施例提供了一种量子点层图案化的方法，包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点层图案化的方法，其特征在于，包括：/n在基底上形成表面具有配体的量子点的膜层；其中，所述配体被配置为在预设波长的光照射下，所述配体在第一溶剂中的溶解性不同；/n采用所述预设波长的光照射所述膜层的曝光区域，所述曝光区域的配体和未曝光区域的配体在所述第一溶剂中的溶解性不同，以使所述曝光区域的量子点和未曝光区域的量子点在所述第一溶剂中的溶解性不同；/n采用所述第一溶剂对被所述预设波长的光照射后的所述膜层进行显影，以形成图案化的量子点层。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点层图案化的方法，其特征在于，包括：
在基底上形成表面具有配体的量子点的膜层；其中，所述配体被配置为在预设波长的光照射下，所述配体在第一溶剂中的溶解性不同；
采用所述预设波长的光照射所述膜层的曝光区域，所述曝光区域的配体和未曝光区域的配体在所述第一溶剂中的溶解性不同，以使所述曝光区域的量子点和未曝光区域的量子点在所述第一溶剂中的溶解性不同；
采用所述第一溶剂对被所述预设波长的光照射后的所述膜层进行显影，以形成图案化的量子点层。


2.如权利要求1所述的图案化的方法，其特征在于，所述配体被配置为在预设波长的光照射下，所述配体在第一溶剂中的溶解性不同，具体为：
所述配体被配置为在预设波长的光照射下，所述配体极性发生反转。


3.如权利要求1所述的图案化的方法，其特征在于，所述采用所述预设波长的光照射所述膜层的曝光区域，具体包括：
采用掩膜版遮挡所述膜层，所述掩膜版包括透光区域和遮光区域，所述透光区域对应所述膜层中接受光照射的曝光区域。


4.如权利要求1所述的图案化的方法，其特征在于，所述采用所述第一溶剂对被所述预设波长的光照射后的所述膜层进行显影，以形成图案化的量子点层，具体包括：
采用所述第一溶剂极性清洗被所述预设波长的光照射后的膜层，所述曝光区域的量子点溶解于所述第一溶剂，所述未曝光区域的量子点不溶解于所述第一溶剂。


5.如权利要求1所述的图案化的方法，其特征在于，所述采用所述第一溶剂对被所述预设波长的光照射后的所述膜层进行显影，以形成图案化的量子点层，具体包括：
采用所述第一溶剂清洗被所述预设波长的光照射后的膜层，所述未曝光区域的量子点溶解于所述第一溶剂，所述曝光区域的量子点不溶解于所述第一溶剂。
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【专利技术属性】
技术研发人员：张振琦，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11