晶圆的对准方法及对准系统技术方案

本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种晶圆的对准方法及对准系统，该控制方法包括获取晶圆上的对位标记；获取预先设定的至少两种对准计划；选择一种所述对准计划对所述对位标记进行对准；如果对准所述对位标记失败选择其他所述对准计划对所述对位标记进行对准。根据发明专利技术实施例的晶圆的对准方法，获取预先设定的至少两种对准计划，发生对准失败时自动选择其他对准计划再次进行对准，避免因对准失败导致再次设定对准计划重新对准，节省了重试的时间，降低了时间损耗和人力损耗，提高了对准速度。

【技术实现步骤摘要】
晶圆的对准方法及对准系统
本申请属于半导体
，具体涉及一种晶圆的对准方法及对准系统。
技术介绍
本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。半导体器件包括多层结构。因此，当制备半导体器件时，需要保证预定图形与形成于该预定图形上方的其他图形之间或预定图形与形成于该预定图形下方的另一图形之间尽可能重叠，重叠的精度影响半导体的品质。因此，在制造半导体器件的工艺中，会设置有对位标记，对对位标记进行对准，可以判断两个图形之间的重叠精度是否符合要求，以便提高半导体的品质。但现有技术中对对位标记进行对准时，对准方式单一，当对准失败时，需要重新进行对准方式的设定再重新进行对准，耗费时间和人力成本。
技术实现思路
本申请的第一方面提出了一种晶圆的对准方法，包括：获取晶圆上的对位标记；获取预先设定的至少两种对准计划；选择一种所述对准计划对所述对位标记进行对准；根据对准所述对位标记失败，选择其他所述对准计划对所述对位标记进行对准。本申请的第二方面提出了一种晶圆的对准本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆的对准方法，其特征在于，包括：/n获取晶圆上的对位标记；/n获取预先设定的至少两种对准计划；/n选择一种所述对准计划对所述对位标记进行对准；/n如果对准所述对位标记失败，选择其他所述对准计划对所述对位标记进行对准。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的对准方法，其特征在于，包括：
获取晶圆上的对位标记；
获取预先设定的至少两种对准计划；
选择一种所述对准计划对所述对位标记进行对准；
如果对准所述对位标记失败，选择其他所述对准计划对所述对位标记进行对准。


2.根据权利要求1所述的晶圆的对准方法，其特征在于，所述对准计划为三个，所述对准计划分别为第一对准计划、第二对准计划和第三对准计划；
所述第一对准计划、所述第二对准计划和所述第三对准计划中的对位标记、对准激光、对准位置和对准目标层的参数互不相同。


3.根据权利要求2所述的晶圆的对准方法，其特征在于，所述对位标记为至少三个，所述对位标记分别为第一对位标记、第二对位标记和第三对位标记，所述第一对位标记、所述第二对位标记和所述第三对位标记互不相同。


4.根据权利要求3所述的晶圆的对准方法，其特征在于，所述选择一种所述对准计划对所述对位标记进行对准；
如果对准所述对位标记失败，选择其他所述对准计划对所述对位标记进行对准包括：
选择所述第一对准计划对所述第一对位标记进行第一次对准；
如果第一次对准失败，选择所述第二对准计划对所述第二对位标记进行第二次对准；
如果第二次对准失败，选择所述第三对准计划对所述第三对位标记进行第三次对准。


5.根据权利要求4所述的晶圆的对准方法，其特征在于，在所述获取预先设定的至少两种对准计划之后还包括获取参考规格，所述参考规格分别为第一参考规格、第二参考规格和第三参考规格，所述第一参考规格、所述第二参考规格和所述第三参考规格互不相同。


6.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李其衡，贺晓彬，刘金彪，李亭亭，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11