【技术实现步骤摘要】
纳米电极对及其制备方法
本专利技术涉及纳米加工
，具体为纳米电极对及其制备方法。
技术介绍
纳米间隙电极对指的是最小部分的间距在纳米量级尺寸的一对电极，是将单个分子与宏观电路相连接的有利工具。通过在电极对之间填充特定分子，可获得具有特殊电学、光学、热学等特性的元器件，有助于实现微电子器件的小型化、高密度、多功能化。由于大多数分子的典型尺寸都处于几纳米的量级，制备出纳米间隙电极对就显得尤为重要。现有制备纳米间隙对的工艺包括机械力断裂、电迁移断裂、电镀/化学镀、选区刻蚀等等，上述工艺都有或多或少存在不足之处，其中，机械力断裂、电迁移断裂的制备方法容易造成纳米间隙处的悬浮结构，稳定性差导致不利于重复利用，而常用的引入外加牺牲电极的电镀/化学镀的制备方法，容易造成间隙形貌不规则、容易碎屑污染、与现有微电子工艺不兼容等。因此，本专利技术旨在提供纳米间隙高质量可控性，并且能够提高纳米间隙处的结构稳定性，有利于重复利用的纳米电极对及其制备方法。
技术实现思路
本专利技术目的是提供纳米电极对及其制备方法，以...
【技术保护点】
1.纳米电极对的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)在衬底上热氧化处理制备二氧化硅层，旋涂一层抗蚀剂，得到基材；/n2)在上述基材上通过微纳米加工方法制备一对双层金属电极对，其中，上层金属电极材料应采用金属活动顺序表中位于下层金属电极材料之前的金属；/n3)在上述双层金属电极对上覆盖电解液，通过金属沉积的方法，由双层金属电极对的上层金属与电解液之间的化学反应，并在下层金属电极材料的表面析出相同的金属，使双层金属电极对之间的间距减小，从而获得纳米间隙尺度的电极对。/n
【技术特征摘要】
1.纳米电极对的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)在衬底上热氧化处理制备二氧化硅层，旋涂一层抗蚀剂，得到基材；
2)在上述基材上通过微纳米加工方法制备一对双层金属电极对，其中，上层金属电极材料应采用金属活动顺序表中位于下层金属电极材料之前的金属；
3)在上述双层金属电极对上覆盖电解液，通过金属沉积的方法，由双层金属电极对的上层金属与电解液之间的化学反应，并在下层金属电极材料的表面析出相同的金属，使双层金属电极对之间的间距减小，从而获得纳米间隙尺度的电极对。
2.根据权利要求1所述的纳米电极对及其制备方法，其特征在于：步骤1中所述二氧化硅层的厚度为300-500纳米。
3.根据权利要求1所述的纳米电极对及其制备方法，其特征在于：步骤1中所述抗蚀剂的旋涂厚度为50-100纳米。
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【专利技术属性】
技术研发人员：李莉，孙志梅，潘向萍，潘军，
申请(专利权)人：淮南师范学院，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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