【技术实现步骤摘要】
一种在尖锥形陶瓷腔体内壁制备微细金属涂层图案的方法
本专利技术涉超材料隐身
，具体而言，涉及一种在尖锥形陶瓷腔体内壁制备微细金属涂层图案的方法。
技术介绍
频率选择表面(FrequencySelectiveSurface,FSS)是一种微波周期性结构，任何周期性分布在平面上的导体贴片或孔径结构，都会对微波到光波波段的电磁波产生衍射现象。当单元尺寸为入射波半波长的整数倍时发生谐振。当频率选择表面的阵单元对于某一频率的入射波发生谐振时，该入射波将被全反射或全透射，而偏离此谐振频率的入射波可以部分通过或被部分反射，因此FSS可作为空间滤波器。FSS应用于隐身技术中具有其他隐身技术无法比拟的优势，如波段宽、可靠性好，不用改变机体外形及其制作工艺，同时不增阻且不增重，具有良好的应用前景。天线罩可以和FSS相结合制作成频率选择天线罩(FrequencySelectiveRadome,FSR)，选择性屏蔽敌方雷达波段并透过己方雷达波段，实现雷达罩的隐身。从材料设计和制备角度而言，基于FSS的隐身雷达和天线罩就是在特定透波陶瓷罩内表面...
【技术保护点】
1.一种在尖锥形陶瓷腔体内壁制备微细金属涂层图案的方法，其特征在于，包括如下步骤，激光从尖锥形陶瓷腔体的外部穿透尖锥形陶瓷腔体在腔体内壁上聚焦，对尖锥形陶瓷腔体内壁上的金属涂层进行激光反向刻蚀后在尖锥形陶瓷腔体的内壁获得微细金属涂层图案，所述尖锥形陶瓷腔体的壁的厚度为3-15mm。/n
【技术特征摘要】
1.一种在尖锥形陶瓷腔体内壁制备微细金属涂层图案的方法，其特征在于，包括如下步骤，激光从尖锥形陶瓷腔体的外部穿透尖锥形陶瓷腔体在腔体内壁上聚焦，对尖锥形陶瓷腔体内壁上的金属涂层进行激光反向刻蚀后在尖锥形陶瓷腔体的内壁获得微细金属涂层图案，所述尖锥形陶瓷腔体的壁的厚度为3-15mm。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光反向刻蚀过程中使用的激光中心波长为100nm～2000nm，脉冲宽度为10ns～1000ns；所述激光的扫描速度1mm/s～1000mm/s，扫描间距为0.01mm～1mm，离焦量为-10mm～0mm。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：
在所述激光反向刻蚀步骤前还包括如下步骤：
金属涂层沉积：利用离子注入在基材表面制备改性层，得到含改性层的基材，再在含改性层的基材上沉积籽晶层和增厚涂层，得到待激光反向刻蚀基材一；
保护胶沉积：在待激光反向刻蚀基材一的金属涂层表面设置保护胶，得到待激光反向刻蚀基材二；
将所述待激光反向刻蚀基材二利用激光反向刻蚀后，清洗保护胶，即在尖锥形陶瓷腔体的内壁获得微细金属涂层图案。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述金属涂层包括Ag基涂层、Cu基涂层、Au基涂层和Al基涂层中的任意一种。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金属涂层沉积过程中包括如下步骤：
a、清洗基材表面：
将基材清洗后放入真空中干燥，干燥完成后放入偏压反溅射设备中进行偏压反溅射处理，得到预处理基材；
偏压反溅射过程中的真空度小于6×10-3Pa，偏压反溅射清洗基材的时间为8～12min，反溅射偏压为-550～-450V，偏压反溅射过程中的气压为2.8～3.2Pa，工作氛围为Ar；
b、等离子体浸没离子注入：
通入惰性气体调整真空度为1.8～2.2×10-2Pa，依次调整灯丝电流、电弧电压和引出电压后，再交替调节抑制电压和加速电压，利用离子注入和等离子沉积将离子注入样品表层，处理完成后得到含有改性层的基材；
所述离子包括Ti、Ta和NiCr中的任意一种；
所述灯丝电流为10～14A，电弧电压为100～140V，引出电压为0.5-0.8kV；抑制电压为1～4kV，加速电压为60～80kV，加速电流与抑制电流差值为1～4mA；所述惰性气体纯度为大于99％；所述惰性离子倾...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘波，朱海红，金凡亚，但敏，
申请(专利权)人：四川大学，华中科技大学，核工业西南物理研究院，
类型：发明
国别省市：四川;51
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