【技术实现步骤摘要】
一种低残留防回跳的电位器碳膜片
本技术涉及碳膜片,具体公开了一种低残留防回跳的电位器碳膜片。
技术介绍
碳膜片又称碳膜电路板,常用作电位器的电阻体,碳膜片具有良好的导电性,且电阻值可根据电位器中电刷滑动所至的位置决定,从而达到电位调节的效果。现有技术中,直板状的碳膜片主要包括绝缘基板及其上的碳层,碳层的两端连接有用于与电位器电路连接的导电金属层,现有技术碳膜片的电阻输出特性曲线如图1所示,绝缘基板上的碳层表面接触阻抗高,往往大于目标阻值10%~20%,阻值在碳层与导电金属层的交界处容易出现回跳,即产生信号波动,且残留阻值高达目标阻值的5%,现有技术碳膜片的性能不佳。
技术实现思路
基于此,有必要针对现有技术问题,提供一种低残留防回跳的电位器碳膜片,电阻信号调节可靠,调节过程中信号波动小,电阻残留低。为解决现有技术问题,本技术公开一种低残留防回跳的电位器碳膜片,包括绝缘基板,绝缘基板上设有电阻体,电阻体从下至上包括的第一碳膜层和第二碳膜层,第一碳膜层的底部两端均设有一第一导电金属层,第二 ...
【技术保护点】
1.一种低残留防回跳的电位器碳膜片,其特征在于,包括绝缘基板(10),所述绝缘基板(10)上设有电阻体(20),所述电阻体(20)从下至上包括的第一碳膜层(21)和第二碳膜层(22),所述第一碳膜层(21)的底部两端均设有一第一导电金属层(31),所述第二碳膜层(22)的顶部两端均设有一第二导电金属层(32),所述第二导电金属层(32)位于所述第一导电金属层(31)的正上方,所述第二导电金属层(32)与所述第一导电金属层(31)之间形成有水平距离为d。/n
【技术特征摘要】
1.一种低残留防回跳的电位器碳膜片,其特征在于,包括绝缘基板(10),所述绝缘基板(10)上设有电阻体(20),所述电阻体(20)从下至上包括的第一碳膜层(21)和第二碳膜层(22),所述第一碳膜层(21)的底部两端均设有一第一导电金属层(31),所述第二碳膜层(22)的顶部两端均设有一第二导电金属层(32),所述第二导电金属层(32)位于所述第一导电金属层(31)的正上方,所述第二导电金属层(32)与所述第一导电金属层(31)之间形成有水平距离为d。
2.根据权利要求1所述的一种低残留防回跳的电位器碳膜片,其特征在于,所述电阻体(20)的阻...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄国维,
申请(专利权)人:东莞福哥电子有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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