用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片制造技术

技术编号:2624571 阅读:289 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术提供了一种用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片,该载片为方形薄片,中间设有一个用于放置电池片的方形凹槽。本实用新型专利技术的载片用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量时,是将太阳电池片固定放置在载片的凹槽内,然后用可伸缩的钩子插入载片的两个挂钩孔内勾住载片,再一起放入一个盛有HF溶液的方形容器内进行腐蚀,可以清晰地观察到膜色的变化,能够很直观的判断太阳电池片氮化硅膜致密性的好坏。(*该技术在2018年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种工装,尤其涉及一种用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片
技术介绍
太阳电池作为新兴的清洁可再生能源因具有直接将太阳能转换为电能,且寿命长、维护简单、可实现无人值守等优势而备受瞩目。太阳能电源系统取得了越来越广泛的应用。现有的晶体硅太阳电池片在制作过程中有一道工序是通过PECVD工艺在硅片表面沉积一层氮化硅膜,以达到减反射的效果。PECVD工艺要求所形成的氮化硅膜致密、均匀。为了检验其致密性,现在一般是使用一定浓度的HF溶液对氮化硅膜进行腐蚀,膜的致密性越好,相对的腐蚀时间也越长。现有技术在进行这种检验时,一般是使用普通的防酸碱容器,将硅片直接放入容器内进行腐蚀。由于没有固定装置,硅片容易移动,从而造成肉眼观察的不便。
技术实现思路
本技术的目的,就是为了提供一种用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片。为了达到上述目的,本技术采用了以下技术方案:一种用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片,为方形薄片,中间设有一个用于放置电池片的方形凹槽。所述的方形凹槽的大小为127mm×127mm,深度为1mm。所述的方形凹槽的两侧边缘上各设有一个挂钩孔。本技术的载片用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量时,是将太阳电池片固定放置在载片的凹槽内,然后用可伸缩的钩子插入载片的两个挂钩孔内勾-->住载片,再一起放入一个盛有H F溶液的方形容器内进行腐蚀,可以清晰地观察到膜色的变化,能够很直观的判断太阳电池片氮化硅膜致密性的好坏。附图说明图1是本技术用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片的立体结构示意图。具体实施方式参见图1,本技术的用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片1为方形薄片,中间设有一个用于放置电池片的方形凹槽11,两侧边缘上各设有一个挂钩孔12。其中,方形凹槽的大小为127mm×127mm(相应于太阳电池片的最大尺寸),深度为1mm。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片,其特征在于:所述的载片为方形薄片,中间设有一个用于放置电池片的方形凹槽。

【技术特征摘要】
1、一种用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片,其特征在于:所述的载片为方形薄片,中间设有一个用于放置电池片的方形凹槽。2、如权利要求1所述的用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:许瑞峰
申请(专利权)人:上海太阳能科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]

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