半导体制冷雾室系统技术方案

本实用新型专利技术通过Ｐｅｌｔｉｅｒ半导体制冷器件，将雾室降温，通过控温电路的设置，可以实现零下２０摄氏度到零上２０摄氏度的控温，冷凝的废液通过废液导管排出，冷凝后的样品气溶胶则导入分析仪器的加热激发源。产生汽雾的雾化器可以在制冷雾室内，也可以在制冷雾室外，汽雾经过加热后导入制冷雾室，以达到更佳的溶剂去除效果。本实用新型专利技术实现了在半导体制冷雾室冷凝溶剂的目的，整个系统体积小，温度范围宽，安装方便，操作简单。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种利用Peltier效应半导体制冷技术设计的用于原子吸收光谱仪、等 离子体发射光谱仪或等离子体质谱仪等分析仪器的雾室系统。
技术介绍
在火焰原子吸收光谱仪、等离子体发射光谱仪或者等离子体质谱仪等分析仪器的进样过 程中，样品溶剂大量进入加热激发源，使得干扰增大，灵敏度降低，尤其是高挥发性溶剂， 会使得加热激发源稳定性变差，甚至熄火。利用半导体制冷雾室系统可以有效地冷凝来自雾化器喷雾中的大量溶剂，从而可以提高 加热激发源的稳定性，降低测量的溶剂干扰。
技术实现思路
本技术实现了在半导体制冷雾室冷凝溶剂的目的，整个系统体积小，温度范围宽， 安装方便，操作简单。本技术采用以下设计方案通过Peltier半导体制冷器件，将雾室降温，通过控温 电路的设置，可以实现零下20摄氏度到零上20摄氏度的控温，冷凝的废液通过废液导管排 出，冷凝后的样品气溶胶则导入分析仪器的加热激发源。产生汽雾的雾化器可以在制冷雾室 内，也可以在制冷雾室外，汽雾经过加热后导入制冷雾室，以达到更佳的溶剂去除效果。附图说明半导体制冷雾室系统结构示意图具体实施方式由半导体制冷组件(2)将雾室(l)的汽雾进行制冷冷凝，将冷凝的溶剂通过排废液导 管(4)排出，同时，经冷凝后的样品气溶胶经过导管(3)进入分析仪器的加热激发源。权利要求1、一种用于火焰原子吸收光谱仪、等离子体发射光谱仪或者等离子体质谱仪等分析仪器的半导体制冷雾室系统，其特征在于由半导体制冷组件(2)将雾室(1)的汽雾进行制冷冷凝，将冷凝的溶剂通过排废液导管(4)排出，同时，经冷凝后的样品气溶胶经过导管(3)进入分析仪器的加热激发源。2、 根据权利要求1所述的一种半导体制冷雾室系统，其特征在于半导体制冷的温度范围为零下20摄氏度到零上20摄氏度。3、 根据权利要求1所述的一种半导体制冷雾室系统，其特征在于产生汽雾的雾化器可以在半导体制冷雾室内，也可以在半导体制冷雾室之外，汽雾事先经过加热后再导入半导体制冷 雾室内。专利摘要本技术通过Peltier半导体制冷器件，将雾室降温，通过控温电路的设置，可以实现零下20摄氏度到零上20摄氏度的控温，冷凝的废液通过废液导管排出，冷凝后的样品气溶胶则导入分析仪器的加热激发源。产生汽雾的雾化器可以在制冷雾室内，也可以在制冷雾室外，汽雾经过加热后导入制冷雾室，以达到更佳的溶剂去除效果。本技术实现了在半导体制冷雾室冷凝溶剂的目的，整个系统体积小，温度范围宽，安装方便，操作简单。文档编号G01N21/31GK201237402SQ20082012619公开日2009年5月13日 申请日期2008年6月23日 优先权日2008年6月23日专利技术者(请求不公开姓名) 申请人:徐杜鹃本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于火焰原子吸收光谱仪、等离子体发射光谱仪或者等离子体质谱仪等分析仪器的半导体制冷雾室系统，其特征在于：由半导体制冷组件（２）将雾室（１）的汽雾进行制冷冷凝，将冷凝的溶剂通过排废液导管（４）排出，同时，经冷凝后的样品气溶胶经过导管（３）进入分析仪器的加热激发源。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：
申请(专利权)人：徐杜鹃，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]