一种表征射频离子源离子束特性的测量方法技术

本发明专利技术涉及一种表征射频离子源离子束特性的测量方法，所述方法包括S1、真空腔室内固定硅片并将稳定后的离子束垂直投射于硅片上即α＝0；S2、调整离子束引出端面与硅片之间的距离WD以调整形成于硅片上的束斑，并据此束斑分析离子束形态为聚焦离子束或平行离子束；S3、获取离子束投射于硅片上形成的束斑面形PV值，利用MetroPro软件分析计算束斑直径；S4、测量束斑的长半轴a和短半轴b，并据二者比值a/b大小确定束斑形状为圆形光斑或椭圆形光斑。本发明专利技术能够直观反应离子束形态、束径大小以及束斑形状，便于准确分析离子束特性，对后期工艺实验提供了指导依据。

【技术实现步骤摘要】
一种表征射频离子源离子束特性的测量方法
本专利技术涉及离子束溅射镀膜及超精密抛光
，尤其涉及一种表征射频离子源离子束特性的测量方法。
技术介绍
射频离子源具有结构简单、无极放电的优点，采用离子束溅射镀膜所镀制的膜层具有吸收少、漂移小、效率高、致密性好的优点。射频离子源也用于精密制造领域的离子束抛光，离子束抛光通常用于超精密光学元件的最终加工,是一种去除精度达到原子级别的抛光技术。在此过程中，具有一定能量和空间分布的离子束流轰击光学元件表面，利用轰击时发生的物理溅射效应去除光学元件表面材料，达到修正面形误差的目的，加工精度达到纳米级。较低能量的离子束广泛用于工业加工，如离子减薄、离子抛光、离子束打孔、离子束刻蚀、离子束溅射金属膜等。不论是光学薄膜的制备还是纳米尺度的离子束刻蚀和抛光，高性能的离子束流都是不可缺少的。离子束超精密加工研究中，离子源起着非常重要的作用。离子源是产生离子束流的装置，又是离子束设备中的关键部件。射频(RF)离子源采用磁感应产生等离子体，因此是无极放电，放电室内无灯丝作为阴极，无灯丝因而可在反应气体中长本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表征射频离子源离子束特性的测量方法，其特征在于：所述方法包括，/nS1、真空腔室内固定硅片并将稳定后的离子束垂直投射于硅片上即α＝0；/nS2、调整离子束引出端面与硅片之间的距离WD以调整形成于硅片上的束斑，并据此束斑分析离子束形态为聚焦离子束或平行离子束；/nS3、获取离子束投射于硅片上形成的束斑面形PV值，利用MetroPro软件分析计算束斑直径；/nS4、测量束斑的长半轴a和短半轴b，并据二者比值a/b大小确定束斑形状为圆形光斑或椭圆形光斑。/n

【技术特征摘要】
1.一种表征射频离子源离子束特性的测量方法，其特征在于：所述方法包括，
S1、真空腔室内固定硅片并将稳定后的离子束垂直投射于硅片上即α＝0；
S2、调整离子束引出端面与硅片之间的距离WD以调整形成于硅片上的束斑，并据此束斑分析离子束形态为聚焦离子束或平行离子束；
S3、获取离子束投射于硅片上形成的束斑面形PV值，利用MetroPro软件分析计算束斑直径；
S4、测量束斑的长半轴a和短半轴b，并据二者比值a/b大小确定束斑形状为圆形光斑或椭圆形光斑。


2.根据权利要求1所述表征射频离子源离子束特性的测量方法，其特征在于：
所述硅片为镀有氧化硅薄膜的硅片。

【专利技术属性】
技术研发人员：王大森，李晓静，聂凤明，裴宁，郭海林，张旭，夏超翔，
申请(专利权)人：中国兵器科学研究院宁波分院，
类型：发明
国别省市：浙江;33