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本发明涉及一种表征射频离子源离子束特性的测量方法，所述方法包括S1、真空腔室内固定硅片并将稳定后的离子束垂直投射于硅片上即α＝0；S2、调整离子束引出端面与硅片之间的距离WD以调整形成于硅片上的束斑，并据此束斑分析离子束形态为聚焦离子束或平...
该专利属于中国兵器科学研究院宁波分院所有，仅供学习研究参考，未经过中国兵器科学研究院宁波分院授权不得商用。

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