静电吸盘及晶片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种静电吸盘，具备：多结晶陶瓷烧结体即陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面与第1主面相反侧的第2主面；电极层，设置于陶瓷电介体基板；基座板，设置在第2主面侧而支撑陶瓷电介体基板；及加热器，设置在电极层与基座板之间，其特征为，基座板具有：通孔，贯通基座板；及连通路，使调整处理对象物温度的介质通过，在垂直于第1主面的方向上观察时，加热器中的至少一部分存在于在从最接近通孔的连通路的第1部分观察时的通孔侧。

【技术实现步骤摘要】
静电吸盘及晶片处理装置本申请是申请日为2015年12月10日、专利技术名称为“静电吸盘及晶片处理装置”的、国家申请号为“201580066345.X”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的形态一般涉及一种静电吸盘及晶片处理装置。
技术介绍
在进行蚀刻、CVD(ChemicalVaporDeposition)、溅镀、离子注入、灰化等的等离子处理燃烧室内，作为吸附保持半导体晶片、玻璃基板等处理对象物的方法而使用静电吸盘。静电吸盘是通过在氧化铝等陶瓷基体材料之间夹入电极并进行烧成而制作。静电吸盘如下，对内置的电极外加静电吸附用电力，通过静电力吸附硅片等基板。近几年，在利用等离子的蚀刻装置中，存在等离子的高输出化的趋势。伴随等离子的高输出化，供向晶片的热量变高。当供向晶片的热量比较低时，静电吸盘的温度变化比较小，用比较小型的冷机就能够应对。另外，当供向晶片的热量比较低时，为了在流程中使晶片达到所希望的温度，使用不需要冷媒的冷却用金属板或者改变冷机温度就能够充分应对。但是，当供向晶片的热量比较高而陶瓷基体材料的温度上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电吸盘，具备：/n多结晶陶瓷烧结体即陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面与所述第1主面相反侧的第2主面；/n电极层，设置于所述陶瓷电介体基板；/n基座板，设置在所述第2主面侧而支撑所述陶瓷电介体基板；/n及加热器，设置在所述电极层与所述基座板之间，其特征为，/n所述基座板具有：通孔，贯通所述基座板；及连通路，使调整所述处理对象物温度的介质通过，/n在垂直于所述第1主面的方向上观察时，所述加热器中的至少一部分存在于在从最接近所述通孔的所述连通路的第1部分观察时的所述通孔侧。/n

【技术特征摘要】
20141210 JP 2014-249729;20151207 JP 2015-2388221.一种静电吸盘，具备：
多结晶陶瓷烧结体即陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面与所述第1主面相反侧的第2主面；
电极层，设置于所述陶瓷电介体基板；
基座板，设置在所述第2主面侧而支撑所述陶瓷电介体基板；
及加热器，设置在所述电极层与所述基座板之间，其特征为，
所述基座板具有：通孔，贯通所述基座板；及连通路，使调整所述处理对象物温度的介质通过，
在垂直于所述第1主面的方向上观察时，所述加热器中的至少一部分存在于在从最接近所述通孔的所述连通路的第1部分观察时的所述通孔侧。


2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，在垂直于所述第1主面的方向上观察时，所述第1部分与所述通孔的中心轴之间的距离大于最接近所述通孔的所述加热器的第2部分与所述通孔的中心轴之间的距离。


3.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征为，在垂直于所述第1主面的方向上观察时，通过所述第1部分和所述连通路中的所述通孔侧的任意2个部分的第1假想圆的中心，与通过所述第2部分和所述加热器中的所述通孔侧的任意2个部分的第2假想圆的中心之间的距离为0.2毫米以下。


4.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征为，在垂直于所述第1主面的方向上观察时，通过所述第1部分和所述连通路中的所述通孔侧的任意2个部分的第1假想圆的中心，与通过所述第2部分和所述加热器中的所述通孔侧的任意2个部分的第2假想圆的中心重叠。


5.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征为，在垂直于所述第1主面的方向上观察时，在所述第1部分中的所述连通路的宽度比在所述第2部分中的所述加热器的宽度更宽。


6.根据权利要求3所述的静电吸盘，其特征为，在垂直...

【专利技术属性】
技术研发人员：穴田和辉，吉井雄一，
申请(专利权)人：TOTO株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP