一种铁硅磁性薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种铁硅磁性薄膜及其制备方法，其成分质量百分比含量为：2.0～10.0wt.％Si，以及余量的Fe。其制备方法包含：将分别含有铁、硅元素的材料以粉末冶金的方法制备合金靶材；选择单晶硅作为基底材料；将基底材料加热至20‑200℃之间；进行磁场真空蒸镀，真空蒸镀在保护气中进行，所述真空蒸镀的参数为，背底真空度高于7×10

【技术实现步骤摘要】
一种铁硅磁性薄膜及其制备方法
本专利技术属于软磁材料
，尤其是涉及一种铁硅磁性薄膜及其制备方法。
技术介绍
软磁材料是在较小的外加磁场作用下，能快速转换其磁极化的材料。它们通常具有小于1000A/m的固有矫顽力。软磁材料用于发电、调节、传输和转换，广泛应用于电机、电力电子、传感器和电磁干扰(EMI)预防。它们在今天的能源使用部门中发挥着至关重要的作用。在上述应用中，尤其是交变应用，除最大磁感应强度外，最小的能量损失是首要的考虑因素。根据经典涡旋理论，减小交流损耗最有效的途径就是增大电阻和减小厚度。大部分材料，很难兼顾高饱和磁感应强度、低矫顽力与高电阻，而硅钢，则完美地符合上述要求，尤其是6.5wt％硅钢有着近乎于零的磁致伸缩系数，软磁性能更好，电阻率更高。但是工业上使用的硅钢硅含量基本在1％-4％之间，因为高硅钢硬度高，延展性低，很难使用传统加工方法制备。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新的铁硅磁性薄膜及其制备方法。本专利技术的目的可以通过以下技术方案来实现：本专利技术提供一种铁硅磁本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铁硅磁性薄膜的制备方法，其特征在于，采用磁场真空蒸镀的方法制备，包括以下步骤：/nS1：制备靶材：将分别含有铁、硅元素的材料以粉末冶金的方法制备合金靶材，合金靶材中成分质量百分比含量为：2.0～13.0wt.％Si，以及余量的Fe；/nS2：选择单晶硅作为基底材料；/nS3：将基底加热至20-200℃之间；/nS4：进行磁场真空蒸镀，真空蒸镀在保护气中进行，所述真空蒸镀的参数为：背底真空度高于7×10

【技术特征摘要】
1.一种铁硅磁性薄膜的制备方法，其特征在于，采用磁场真空蒸镀的方法制备，包括以下步骤：
S1：制备靶材：将分别含有铁、硅元素的材料以粉末冶金的方法制备合金靶材，合金靶材中成分质量百分比含量为：2.0～13.0wt.％Si，以及余量的Fe；
S2：选择单晶硅作为基底材料；
S3：将基底加热至20-200℃之间；
S4：进行磁场真空蒸镀，真空蒸镀在保护气中进行，所述真空蒸镀的参数为：背底真空度高于7×10-5Pa，靶材加热功率为40-80W，靶基距为45-80mm，保护气体气压为0.3～2Pa，磁场通过高温磁铁产生，即获得铁硅磁性薄膜。


2.根据权利要求1所述铁硅磁性薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2，将基底表面进行平整化处理以使其光滑，然后清洁干燥。


3.根据权利要求1所述铁硅磁性薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，将基底加热至60-100℃。


4.根据权利要求1所述铁硅磁性薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S4中，进...

【专利技术属性】
技术研发人员：严鹏飞，李同奎，严彪，
申请(专利权)人：上海制驰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31