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本发明涉及一种铁硅磁性薄膜及其制备方法，其成分质量百分比含量为：2.0～10.0wt.％Si，以及余量的Fe。其制备方法包含：将分别含有铁、硅元素的材料以粉末冶金的方法制备合金靶材；选择单晶硅作为基底材料；将基底材料加热至20‑200℃之间...
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