【技术实现步骤摘要】
一种点状三维球状超小电容半导体探测器模型及应用
本专利技术属于X射线探测
，尤其涉及一种点状三维球状超小电容半导体探测器模型及应用。
技术介绍
目前，三维电极探测器较之传统的二维/平面探测器具有诸多优势，比如其耗尽电压不再受到探测器晶元厚度的影响，可以使探测器厚度增加至几个毫米而不增加探测器的耗尽电压(现有探测器较厚的厚度也仅为几百微米)。探测器的耗尽电压不受其厚度限制，将会给探测器带来很多优势，比如现存超纯高阻硅探测器在50KeV能量以上的探测效率可以增加至30％左右，而平面探测器由于其厚度限制，探测效率仅约为15％。随着三维电极探测器的提出，如何将电场优化至理想模型一直是三维电极探测器的困扰。通过上述分析，现有技术存在的问题及缺陷为：现有的三维电极探测器无法将电场优化至理想模型。解决以上问题及缺陷的难度为：传统二维探测器将电极制作在晶元的上下两个表面，其全耗尽电压与电极间距有关，因此晶元的厚度对探测器的全耗尽电压(耗能)有很大的限制。传统三维电极探测器分为柱状电极与沟槽电极两种，不管是哪一种设计，都...
【技术保护点】
1.一种点状三维球状超小电容半导体探测器模型，其特征在于，所述点状三维球状超小电容半导体探测器模型为：/n
【技术特征摘要】
1.一种点状三维球状超小电容半导体探测器模型，其特征在于，所述点状三维球状超小电容半导体探测器模型为：
电势与电场如下：
2.如权利要求1所述的点状三维球状超小电容半导体探测器模型，其特征在于，所述探测器模型中央电极的半径约为10微米，球状外围电极的宽度为10微米，探测器的半径为60微米。
3.如权利要求1所述的点状三维球状超小电容半导体探测器模型，其特征在于，所述硅体即球体若是n型硅基，球状电极由1×1019/cm3的p型重掺杂组成，中央点状电极由1×1019/cm3的n型重掺杂组成，这种探测器用于无辐射环境下的光子探测，低能X射线探测。
4.如权利要求1所述的点状三维球状超小电容半导体探测器模型，其特征在...
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