图像传感器中的辐射检测器的封装制造技术

本文所公开的是一种图像传感器，其包括：第一封装(200)，包括安装在印刷电路板(PCB 400)上的多个辐射检测器(100)；其中，第一封装(200)的静区(488)没有在多个辐射检测器(100)之中的相邻辐射检测器(100)之间延伸；辐射检测器(100)没有保护环或侧壁掺杂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图像传感器中的辐射检测器的封装
本公开涉及辐射检测器，具体来说涉及辐射检测器的封装。
技术介绍
辐射检测器是测量辐射的性质的装置。性质的示例可包括辐射的强度、相位和极化的空间分布。辐射可以是与受检者进行交互的辐射。例如，由辐射检测器所测量的辐射可以是穿透受检者或者从受检者反射的辐射。辐射可以是电磁辐射，例如红外光、可见光、紫外光、X射线或γ射线。辐射可属于其他类型，例如α射线和β射线。一种类型的辐射检测器基于辐射与半导体之间的交互。例如，这种类型的辐射检测器可具有半导体层(其吸收辐射并且生成载流子(例如电子和空穴))以及用于检测载流子的电路。
技术实现思路
本文所公开的是一种图像传感器，其包括：第一封装，包括安装在印刷电路板(PCB)上的多个辐射检测器；其中，第一封装的静区没有在多个辐射检测器之中的相邻辐射检测器之间延伸；辐射检测器没有保护环或侧壁掺杂。按照实施例，第一封装通过插头和插座来安装在系统PCB上。按照实施例，第一封装相对于系统PCB倾斜。按照实施例，第一封装通过丝焊来安装在系统PCB上。按照实施例，图像传感器还包括第二封装，其中第一封装的静区通过第二封装来遮蔽。按照实施例，第一封装的静区通过第二封装的工作区来遮蔽。按照实施例，第一封装的形状为矩形。按照实施例，第一封装的形状为六边形。按照实施例，两个相邻辐射检测器之间的间隙不宽于两个相邻辐射检测器的像素。按照实施例，辐射检测器的至少一个辐射检测器没有包括沿至少一个辐射检测器的至少三个侧面的周边区。按照实施例，辐射检测器封装的至少一个包括辐射吸收层和电子层；其中，辐射吸收层包括电极；电子层包括电子系统；其中电子系统包括：第一电压比较器，配置成将电极的电压与第一阈值进行比较；第二电压比较器，配置成将电压与第二阈值进行比较；计数器，配置成记录到达辐射吸收层的辐射粒子的数量；控制器；其中控制器配置成从第一电压比较器确定电压的绝对值等于或超过第一阈值的绝对值的时间开始时间延迟；控制器配置成在该时间延迟期间启动第二电压比较器；控制器配置成在第二电压比较器确定电压的绝对值等于或超过第二阈值的绝对值时使计数器所记录的数量增加一。按照实施例，电子系统还包括电容器模块，其电连接到电极，其中电容器模块配置成收集来自电极的载流子。按照实施例，控制器配置成在时间延迟开始或到期时启动第二电压比较器。按照实施例，电子系统还包括伏特计，其中控制器配置成在时间延迟到期时使伏特计测量电压。按照实施例，控制器配置成基于在时间延迟到期时所测量的电压的值来确定辐射粒子能量。按照实施例，控制器配置成将电极连接到电接地。按照实施例，电压的变化率在时间延迟到期时基本上为零。按照实施例，电压的变化率在时间延迟到期时基本上为非零。本文所公开的是一种包括本文所公开的图像传感器以及辐射源的系统，其中该系统配置成对人体胸腔或腹部执行射线照相。本文所公开的是一种包括本文所公开的图像传感器以及辐射源的系统，其中该系统配置成对人体口腔执行射线照相。本文所公开的是一种货物扫描或者非侵入式检查(NII)系统，包括本文所公开的图像传感器以及辐射源，其中货物扫描或者非侵入式检查(NII)系统配置成使用背散射辐射来形成图像。本文所公开的是一种货物扫描或者非侵入式检查(NII)系统，包括本文所公开的图像传感器以及辐射源，其中货物扫描或者非侵入式检查(NII)系统配置成使用经过被检查对象所透射的辐射来形成图像。本文所公开的是一种全身扫描仪系统，包括本文所公开的图像传感器以及辐射源。本文所公开的是一种辐射计算机断层扫描(辐射CT)系统，其包括本文所公开的图像传感器以及辐射源。本文所公开的是一种电子显微镜，其包括本文所公开的图像传感器、电子源和电子光学系统。本文所公开的是一种系统，其包括本文所公开的图像传感器，其中该系统是辐射望远镜或辐射显微镜，或者其中该系统配置成执行乳房X射线照相、工业缺陷检测、显微射线照相、铸件检查、焊接检查或数字减影血管造影。【附图说明】图1A示意示出按照实施例的辐射检测器的截面图。图1B示意示出按照实施例的辐射检测器的详细截面图。图1C示意示出按照实施例的辐射检测器的备选详细截面图。图2示意示出按照实施例、辐射检测器可具有像素阵列。图3示意示出按照实施例的辐射检测器中的电子层的截面图。图4A示意示出包括辐射检测器和印刷电路板(PCB)的封装的顶视图。图4B和图4C各示意示出图像传感器的截面图，其中图4A的多个封装安装到系统PCB。图5A和图5B示意示出按照实施例、在图像传感器中的图4A的封装的大面积布置。图6A和图6B各示出按照实施例、图1B或图1C中的辐射检测器的电子系统的组件图。图7示意示出按照实施例、流经暴露于辐射的辐射吸收层的二极管的电极或电阻器的电触点的电流的时间变化(上曲线)以及电极的电压的对应时间变化(下曲线)，电流通过入射到辐射吸收层上的辐射粒子所生成的载流子所引起。图8示意示出按照实施例、按照图7所示方式进行操作的电子系统中通过噪声(例如暗电流)所引起的流经电极的电流的时间变化(上曲线)以及电极的电压的对应时间变化(下曲线)。图9示意示出按照实施例的系统，其包括本文所述的图像传感器，适合于诸如胸腔射线照相、腹部射线照相等的医疗成像。图10示意示出按照实施例的系统，其包括本文所述的图像传感器，适合于牙科射线照相。图11示意示出按照实施例、包括本文所述的图像传感器的货物扫描或者非侵入式检查(NII)系统。图12示意示出按照实施例、包括本文所述的图像传感器的另一种货物扫描或者非侵入式检查(NII)系统。图13示意示出按照实施例、包括本文所述的图像传感器的全身扫描仪系统。图14示意示出按照实施例、包括本文所述的图像传感器的辐射计算机断层扫描(辐射CT)系统。图15示意示出按照实施例、包括本文所述的图像传感器的电子显微镜。【具体实施方式】图1A示意示出按照实施例的辐射检测器100的截面图。辐射检测器100可包括辐射吸收层110和电子层120(例如ASIC)，以用于处理或分析入射辐射在辐射吸收层110中生成的电信号。在实施例中，辐射检测器100没有包括闪烁器。辐射吸收层110可包括半导体材料，例如硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或者其组合。半导体对感兴趣辐射能量可具有高质量衰减系数。如图1B中的辐射检测器100的详细截面图所示，按照实施例，辐射吸收层110可包括一个或多个二极管(例如p-i-n或p-n)，其通过第一掺杂区111以及第二掺杂区113的一个或多个分立区114所形成。第二掺杂区113可通过可选本征区112与第一掺杂区111分隔。分立区114通过第一掺杂区111或本征区112相互分隔。第一掺杂区1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括：/n第一封装，包括安装在印刷电路板(PCB)上的多个辐射检测器；/n其中所述第一封装的静区没有在所述多个辐射检测器之中的相邻辐射检测器之间延伸；/n其中所述辐射检测器没有保护环或侧壁掺杂。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种图像传感器，包括：
第一封装，包括安装在印刷电路板(PCB)上的多个辐射检测器；
其中所述第一封装的静区没有在所述多个辐射检测器之中的相邻辐射检测器之间延伸；
其中所述辐射检测器没有保护环或侧壁掺杂。


2.如权利要求第1项所述的图像传感器，其中，所述第一封装通过插头和插座来安装在系统PCB上。


3.如权利要求第2项所述的图像传感器，其中，所述第一封装相对于所述系统PCB倾斜。


4.如权利要求第1项所述的图像传感器，其中，所述第一封装通过丝焊来安装在系统PCB上。


5.如权利要求第1项所述的图像传感器，还包括第二封装，其中所述第一封装的所述静区通过所述第二封装来遮蔽。


6.如权利要求第5项所述的图像传感器，其中，所述第一封装的所述静区通过所述第二封装的工作区来遮蔽。


7.如权利要求第1项所述的图像传感器，其中，所述第一封装的形状为矩形。


8.如权利要求第1项所述的图像传感器，其中，所述第一封装的形状为六边形。


9.如权利要求第1项所述的图像传感器，其中，两个相邻辐射检测器之间的间隙不宽于两个相邻辐射检测器的像素。


10.如权利要求第1项所述的图像传感器，其中，所述辐射检测器的至少一个辐射检测器没有包括沿所述至少一个辐射检测器的至少三个侧面的周边区。


11.如权利要求第1项所述的图像传感器，其中，所述辐射检测器的至少一个包括辐射吸收层和电子层；
其中所述辐射吸收层包括电极；
其中所述电子层包括电子系统；
其中所述电子系统包括：
第一电压比较器，配置成将所述电极的电压与第一阈值进行比较；
第二电压比较器，配置成将所述电压与第二阈值进行比较；
计数器，配置成记录到达所述辐射吸收层的辐射粒子的数量；
控制器；
其中所述控制器配置成从所述第一电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值的时间开始时间延迟；
其中所述控制器配置成在所述时间延迟期间启动所述第二电压比较器；
其中所述控制器配置成在所述第二电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第二阈值的绝对值时，使所述计数器所记录的所述数值增加一。


12.如权利要求第11项所述的图像传感器，其中，所述电子系统还...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹培炎，刘雨润，宋崇申，
申请(专利权)人：深圳帧观德芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44