【技术实现步骤摘要】
基于采集序列细分的纳米CT投影位置漂移校正方法及装置
本专利技术属于纳米CT投影图像校正
，具体涉及一种基于采集序列细分的纳米CT投影位置漂移校正方法及装置。
技术介绍
X射线作为人类揭开研究微观世界序幕的三大发现之一，近几十年来随着各种相关技术的发展进步，发展出了纳米CT技术。它作为一种新型的成像方法，能够在高分辨率下无损观测样品内部结构，具有高空间分辨率、密度分辨率等优势，在微电子产业、生命科学、能源和材料科学、仿生学等领域有非常广阔的应用前景。锥束纳米CT的成像对系统的机械稳定性和环境稳定性要求很高。在进行CT扫描时，理论上只有位置变化小于整套系统的目标分辨率才能得到能够直接进行三维重建的投影数据。纳米CT的机械平台大部分为铝材制造，而铝材对温度变化十分敏感，当温度变化1℃时，100mm的铝块将扩大1.484um。使用的纳米CT机械系统的高度约为400mm，因此温度升高1℃，机械系统夹持的样品将升高6um。纳米CT的放大倍数一般约为几十倍到数百倍，因此每0.1°的温度变化都会带来样品投影几个或十几个像素位...
【技术保护点】
1.一种基于采集序列细分的纳米CT投影位置漂移校正方法，其特征在于，包含以下步骤：/n步骤1，采用圆轨迹方式在N个角度下进行样品投影图像采集，每个采集角度下采集M张样品投影；/n步骤2，采用亚像素图像配准算法计算采集角度为θ
【技术特征摘要】
1.一种基于采集序列细分的纳米CT投影位置漂移校正方法，其特征在于，包含以下步骤：
步骤1，采用圆轨迹方式在N个角度下进行样品投影图像采集，每个采集角度下采集M张样品投影；
步骤2，采用亚像素图像配准算法计算采集角度为θn的M张投影的位置偏差，根据位置偏差对投影进行位置漂移校正并将校正后的CT图像进行多帧累加，作为一次校正后的投影图像；
步骤3，将采集角度为θ1中第M张投影与第1张投影的位置偏差作为漂移误差的初始传递校正值，对采集角度为θ2的一次校正后的投影图像进行二次校正；
步骤4，将初始传递校正值与采集角度为θ2中第M张投影与第1张投影的位置偏差累加作为传递校正值对采集角度为θ3的一次校正后的投影图像进行二次校正；
步骤5，依次类推，完成所有采集角度下的投影进行位置漂移校正，得到用于三维重建的投影数据。
2.根据权利要求1所述的基于采集序列细分的纳米CT投影位置漂移校正方法，其特征在于，在步骤1之前，还包括：
根据待检测样品确定扫描参数及光子计数探测器阀值，并对光子计数探测器进行预处理。
3.根据权利要求2所述的基于采集序列细分的纳米CT投影位置漂移校正方法，其特征在于，根据待检测样品的材质、密度、尺寸因素选择扫描参数，从而确定光子计数探测器的阀值，然后对光子计数探测器进行预处理。
4.根据权利要求1所述的基于采集序列细分的纳米CT投影位置漂移校正方法，其特征在于，采用圆轨迹方式采集N个角度的投影，其采集角度为θ1,θ2……θN；每个采集角度下采集M张样品投影，其曝光时间为t1,t2……tM。
5.根据权利要求4所述的基于采集序列细分的纳米CT投影位置漂移校正方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：席晓琦，韩玉，李磊，闫镔，尹召乐，宋晓芙，谭思宇，
申请(专利权)人：中国人民解放军战略支援部队信息工程大学，
类型：发明
国别省市：河南;41
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