气体传感器、空燃比控制装置和运输设备制造方法及图纸

本发明专利技术的课题是改善具备含有铈离子和锆离子的氧化物半导体层的电阻型气体传感器的耐久性和应答特性。本发明专利技术的气体传感器，是具备含有氧化物半导体层（３）的气体检测部（１）的电阻型的气体传感器。氧化物半导体层（３）含有铈离子和锆离子。氧化物半导体层（３）中所含的锆离子的物质量相对于铈离子与锆离子的物质量之和的比例为４５％～６０％，氧化物半导体层（３）具有含有８０体积％以上的立方晶的结晶相。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种气体传感器，是具备含有氧化物半导体层的气体检测部的电阻型的气体传感器，所述氧化物半导体层含有铈离子和锆离子，所述氧化物半导体层中所含的锆离子的物质量相对于铈离子与锆离子的物质量之和的比例为４５％～６０％，所述氧化物半导体层具有含有８０体积％以上的立方晶的结晶相。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：近藤光央，
申请(专利权)人：雅马哈发动机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]