一种功率集成电路芯片制造技术

本申请提供了一种功率集成电路芯片，涉及半导体技术领域。该功率集成电路芯片包括N型衬底、位于N型衬底四周与底部的P型结构以及位于N型衬底表面的有源区；其中，N型衬底、P型结构以及有源区共同构成单向晶闸管、第一二极管以及第二二极管，且单向晶闸管的长基区与短基区分别与第一二极管、第二二极管连接。本申请提供的功率集成电路芯片具有器件的一致性更好，成本更低的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种功率集成电路芯片
本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种功率集成电路芯片。
技术介绍
随着5G通讯时代的到来，通讯基站设备将越来越多，对通讯系统可靠性要求也越来越高。一旦通讯系统故障，会造成通讯中断，设备失灵，损失较大，甚至造成信息安全事故。其中，雷击是通讯系统故障的主要原因。基于此，通讯系统中一般会进行过压防护。传统的防护方案是采用多个单路元器件并联的方式，此种方案成本高，而且一旦元器件间一致性不好，会导致起不到保护作用。综上所述，目前的过压防护中，存在成本高、元件之间的一致性较差的问题。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种功率集成电路芯片，以解决现有技术中过压防护成本高、元件之间的一致性较差的问题。本申请实施例提供了一种功率集成电路芯片，所述功率集成电路芯片包括：N型衬底；位于所述N型衬底四周与底部的P型结构；及位于所述N型衬底表面的有源区；其中，所述N型衬底、所述P型结构以及所述有源区共同构成单向晶闸管、第一二极管以及第二二极管，且所述单向晶闸管的长基区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率集成电路芯片，其特征在于，所述功率集成电路芯片包括：/nN型衬底；/n位于所述N型衬底四周与底部的P型结构；及/n位于所述N型衬底表面的有源区；其中，/n所述N型衬底、所述P型结构以及所述有源区共同构成单向晶闸管、第一二极管以及第二二极管，且所述单向晶闸管的长基区与短基区分别与所述第一二极管、所述第二二极管连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率集成电路芯片，其特征在于，所述功率集成电路芯片包括：
N型衬底；
位于所述N型衬底四周与底部的P型结构；及
位于所述N型衬底表面的有源区；其中，
所述N型衬底、所述P型结构以及所述有源区共同构成单向晶闸管、第一二极管以及第二二极管，且所述单向晶闸管的长基区与短基区分别与所述第一二极管、所述第二二极管连接。


2.如权利要求1所述的功率集成电路芯片，其特征在于，所述有源区包括：
位于所述N型衬底表面的第一电极、位于所述N型衬底表面的第一P型区、位于所述第一P型区下部的第一N型区、位于所述第一P型区内的第二N型区、位于所述N型衬底表面的第二P型区、位于所述第二P型区内的第三N型区、第二电极、第三电极以及互联金属层，其中，
所述第二N型区与所述第二电极连接，所述第一P型区通过所述互联金属层与所述第三N型区连接，所述第二P型区与所述第三电极连接；
所述第一电极、所述N型衬底以及所述P型结构构成第一二极管；
所述N型衬底、所述P型结构、所述第一P型区、所述第一N型区、所述第二N型区构...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超，王成森，欧阳潇，沈怡东，王志超，
申请(专利权)人：捷捷半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32