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本申请提供了一种功率集成电路芯片，涉及半导体技术领域。该功率集成电路芯片包括N型衬底、位于N型衬底四周与底部的P型结构以及位于N型衬底表面的有源区；其中，N型衬底、P型结构以及有源区共同构成单向晶闸管、第一二极管以及第二二极管，且单向晶闸管...
该专利属于捷捷半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过捷捷半导体有限公司授权不得商用。

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