用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极及其制备方法，包括有以下步骤：１）在芯片材料上制备钛膜，然后利用含有碳源的等离子体将该钛膜碳化，制得碳化钛膜；或直接制备碳化钛膜；２）采用磁控溅射法或直流溅射法或蒸发镀法，在碳化钛膜表面制备一层金膜，然后在金膜表面涂覆一层光刻胶，利用制得好的图形屏蔽光照、显影，利用金腐蚀液去除无光刻胶处的金膜，所需电极位置的碳化钛膜被金膜覆盖，其它部位的碳化钛膜裸露；３）利用氧等离子体处理样品，将裸露的碳化钛膜氧化为二氧化钛膜，去除剩下的金膜，即得。本发明专利技术与现有技术相比具有以下优点：制备的埋层式碳化钛电极不会给芯片的封装带来不便，且强度高，导电性能好，性能稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，主要用于微流控芯 片的电渗流驱动、电泳分离以及电化学检测。
技术介绍
微流控芯片是微全分析系统的核心，代表着分析仪器走向微型化、集成化的发展方向。 在微流控芯片的多种检测技术中，同时拥有高度灵敏度和兼容性的电化学检测方法有望成为 芯片检测的主要手段。但现有的集成电极多以膜的形式分布在芯片材料上，其强度较低，不 仅在芯片的封接过程中容易断裂，而且在使用过程中也会因其突出而受到微流体的冲刷作用 而破坏。同时，凸起的电极会导致封接时在电极附近产生微小的空隙，从而导致漏液的产生。 高强度的埋层式电极则能够解决上述两个问题，提高芯片的成品率和使用稳定性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的问题是针对上述现有技术而提出一种用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极，其强度高，性能稳定。本专利技术的另外一个目的是提供用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极的制备方法。 本专利技术为解决上述提出的问题所采用解决方案为用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极，其特征在于包括有碳化钛膜、二氧化钛膜和芯片材料，碳化钛膜嵌套在二氧化钛膜中，二者集成在芯片材料上，且碳化钛膜与二氧化钛膜上表面平齐。 按上述方案，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极，其特征在于包括有碳化钛膜（２）、二氧化钛膜（１）和芯片材料（３），碳化钛膜嵌套在二氧化钛膜中，二者集成在芯片材料上，且碳化钛膜与二氧化钛膜上表面平齐。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王升高，程莉莉，余冬冬，邓晓清，杜宇，汪建华，
申请(专利权)人：武汉工程大学，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]