具有功率半导体开关的功率半导体模块制造技术

本发明专利技术涉及一种功率半导体模块，其具有：第一和第二中间电路轨道、交流电势轨道和封装的第一和第二功率半导体开关，相应功率半导体开关具有第一和第二负载电流端子以及控制端子，第一和第二功率半导体开关分别布置在第一中间电路轨道和交流电势轨道之间以及第二中间电路轨道和交流电势轨道之间，第一功率半导体开关的第一和第二负载端子分别与第一中间电路轨道和交流电势轨道导电接触，第二功率半导体开关的第一和第二负载端子分别与交流电势轨道和第二中间电路轨道导电接触，第一功率半导体开关的控制端子布置成从交流电势轨道突出，第二中间电路轨道具有第一通孔和第二通孔，其分别与第一和第二功率半导体开关的控制端子平齐对准。

Power semiconductor module with power semiconductor switch

【技术实现步骤摘要】
具有功率半导体开关的功率半导体模块
本专利技术涉及一种具有功率半导体开关的功率半导体模块。
技术介绍
DE102016100617A1公开了一种功率半导体模块，该功率半导体模块具有：壳体；具有第一电容器端子和第二电容器端子的电容器；在壳体中并排布置在DCB基板上的未封装的功率半导体组件；以及电连接装置，其导电地连接到功率半导体组件，并且具有导电的第一连接装置接触表面和导电的第二连接装置接触表面，该导电的第二连接装置接触表面与第一连接装置接触表面电绝缘。壳体的一个壳体壁形成一个凹部，电容器布置在该凹部中。第一电容器端子导电地连接到第一连接装置接触表面，以及第二电容器端子导电地连接到第二连接装置接触表面。功率半导体模块具有低电感。这样的缺点是功率半导体模块具有高的空间要求。
技术实现思路
本专利技术的目的是创建一种低电感的功率半导体模块，其具有小的占用空间。该目的通过一种功率半导体模块来实现，该功率半导体模块具有：用于承载第一直流电压电势的导电的第一中间电路轨道；用于承载第二直流电压电势的导电的第二中间电路轨道；用于承载本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率半导体模块，其具有用于承载第一直流电压电势的导电的第一中间电路轨道(2)、用于承载第二直流电压电势的导电的第二中间电路轨道(3)、用于承载交流电压电势的导电的交流电势轨道(4)、以及封装的第一功率半导体开关(5)和第二功率半导体开关(6)，其特征在于，相应的功率半导体开关(5，6)具有第一主侧(5'，6')和与第一主侧(5'，6')相对的第二主侧(5”，6”)，其中相应功率半导体开关(5，6)的第一负载电流端子(5a，6a)布置在主侧(5'，6')上，以及相应功率半导体开关(5，6)的第二负载电流端子(5b，6b)和相应功率半导体开关(5，6)的控制端子(5c，6c)布置在第二主侧...

【技术特征摘要】
20190425 DE 102019110716.41.一种功率半导体模块，其具有用于承载第一直流电压电势的导电的第一中间电路轨道(2)、用于承载第二直流电压电势的导电的第二中间电路轨道(3)、用于承载交流电压电势的导电的交流电势轨道(4)、以及封装的第一功率半导体开关(5)和第二功率半导体开关(6)，其特征在于，相应的功率半导体开关(5，6)具有第一主侧(5'，6')和与第一主侧(5'，6')相对的第二主侧(5”，6”)，其中相应功率半导体开关(5，6)的第一负载电流端子(5a，6a)布置在主侧(5'，6')上，以及相应功率半导体开关(5，6)的第二负载电流端子(5b，6b)和相应功率半导体开关(5，6)的控制端子(5c，6c)布置在第二主侧(5”，6”)上，其中第一功率半导体开关(5)布置在第一中间电路轨道(2)和交流电势轨道(4)之间，以及第二功率半导体开关(6)布置在第二中间电路轨道(3)和交流电势轨道(4)之间，其中第一功率半导体开关(5)的第一负载端子(5a)与第一中间电路轨道(2)导电地接触，以及第一功率半导体开关(5)的第二负载端子(5b)与交流电势轨道(4)导电地接触，其中第二功率半导体开关(6)的第一负载端子(6a)与交流电势轨道(4)导电地接触，以及第二功率半导体开关(6)的第二负载端子(6b)与第二中间电路轨道(3)导电地接触，其中第一功率半导体开关(5)的控制端子(5c)在垂直于交流电势轨道(4)的法线方向(N)的方向上从交流电势轨道(4)突出，其中第二中间电路轨道(3)具有第一通孔(3a)和第二通孔(3b)，第一通孔(3a)在交流电势轨道(4)的法线方向(N)上与第一功率半导体开关(5)的控制端子(5c)平齐地对准，而第二通孔(3b)在交流电势轨道(4)的法线方向(N)上与第二功率半导体开关(6)的控制端子(6c)平齐地对准。


2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于所述第二功率半导体开关(6)的控制端子(6c)布置成，在垂直于交流电势轨道(4)的法线方向(N)的方向上，在与第一功率半导体开关(5)的控制端子(5c)相反的方向上从所述交流电势轨道(4)突出。


3.根据前述权利要求中的任一项所述的功率半导体模块，其特征在于所述功率半导体模块(1)具有导电的第一接触弹簧(7)，所述第一接触弹簧分别具有第一接触装置(7a)和第二接触装置(7b)和布置在第一接触装置(7a)和第二接触装置(7b)之间的弹性弹簧部分(7c)，其中相应的第一接触弹簧(7)的一部分延伸穿过第一通孔(3a)或第二通孔(3b)，相应的第一接触弹簧(7)的第一接触装置(7a)搁置在相应的功率半导体开关(5，6)的控制端子(5c，6c)上。


4.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块，其特征在于相应功率半导体开关(5，6)的辅助端子(5d，6d)布置在所述第二主侧(5″，6″)上，辅助端子(5d，6d)导电地连接到相应功率半导体开关(5，6)的第一负载电流端子(5a，6a)，其中第一功率半导体开关(5)的辅助端子(5d)布置成在垂直于交流电势轨道(4)的法线方向(N)的方向上从交流电势轨道(4)突出，其中第二中间电路轨道(3)具有第三通孔(3c)和第四通孔(3d)，第三通孔(3c)在交流电势轨道(4)的法线方向(N)上与第一功率半导体开关(5)的辅助端子(5d)平齐地对准，而第四通孔(3d)在交流电势轨道(4)的法线方向(N)上与第二功率半导体开关(6)的辅助端子(6d)平齐地对准。


5.根据权利要求4所述的功率半导体模块，其特征在于所述第二功率半导体开关(6)的辅助端子(6d)布置成，在垂直于交流电势轨道(4)的法线方向(N)的方向上，在与第一功率半导体开关(5)的辅助端子(5d)相反的方向上从所述交流电势轨道(4)突出。


6.根据权利要求4所述的功率半导体模块，其特征在于所述第一和第三通孔(3a，3c)彼此连接，使得第一和第三通孔(3a，3c)形成第一总体开口，和/或所述第二和第四通孔(3b，3d)彼此连接，使得所述第二和第四通孔(3b，3d)形成第二总体开口。


7.根据权利要求5所述的功率半导体模块，其特征在于所述第一和第三通孔(3a，3c)彼此连接，使得第一和第三通孔(3a，3c)形成第一总体开口，和/或所述第二和第四通...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·克劳斯，K·本克特，
申请(专利权)人：赛米控电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE