存储单元检测方法技术

本发明专利技术涉及存储单元检测技术领域，提出一种存储单元检测方法，用于通过一加热设备将所述存储单元加热至第一温度，该方法包括：将所述加热设备的温度调节至第二温度，所述第二温度大于所述第一温度；将所述加热设备的温度降低至所述第一温度。本公开提供的检测方法可以提高存储单元的检测效率。

【技术实现步骤摘要】
存储单元检测方法
本专利技术涉及存储单元检测
，尤其涉及一种存储单元检测方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(DRAM，DynamicRandomAccessMemory)是一种常见的存储器件。动态随机存取存储器一般由多个存储单元组成，每个存储单元通过一电容储存数据信号“0”或“1”。其中，每个电容存储高电平“1”的时长需要达到预设的时长，以实现动态随机存取存储器的动态存储功能。动态随机存取存储器中每个存储单元需要进行功能测试，以确定每个电容存储高电平“1”的时长能否达到预设的时长。在对存储单元进行功能测试时，需要将存储单元放置于预设温度的环境。相关技术中，通常通过一加热设备向存储单元提供预设温度的加热环境。例如，存储单元需要在100摄氏度环境下进行功能测试时，可以将加热设备的温度调节至100摄氏度。然而，加热设备在升温过程中，温度变化率波动较大。例如，加热设备的温度升高到100摄氏度附近后，需要进行一段较长的时间才可以将实际温度稳定在100摄氏度。因此，存储单元的检测效率较低。需要说明的是，在上述
技术介绍
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【技术保护点】
1.一种存储单元检测方法，用于通过一加热设备将所述存储单元加热至第一温度，其特征在于，包括：/n将所述加热设备的温度调节至第二温度，所述第二温度大于所述第一温度；/n将所述加热设备的温度降低至所述第一温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储单元检测方法，用于通过一加热设备将所述存储单元加热至第一温度，其特征在于，包括：
将所述加热设备的温度调节至第二温度，所述第二温度大于所述第一温度；
将所述加热设备的温度降低至所述第一温度。


2.根据权利要求1所述的存储单元检测方法，其特征在于，将所述加热设备的温度调节至第二温度，包括：
将所述加热设备的温度分一段调节至所述第二温度。


3.根据权利要求2所述的存储单元检测方法，其特征在于，将所述加热设备的温度分一段调节至所述第二温度，包括：
将所述加热设备的目标温度设置为第三预设温度，所述第三预设温度大于所述第二温度。


4.根据权利要求1所述的存储单元检测方法，其特征在于，将所述加热设备的温度调节至第二温度，包括：
将所述加热设备的温度分多段调节至所述第二温度。


5.根据权利要求4所述的存储单元检测方法，其特征在于，将所述加热设备的温度分多段调节至所述第二温度，包括：
通过多次设置所述加热设备的目标温度逐渐将所述加热设备的温度调节到所述第二温度。


6.根据权利要求5所述的存储单元检测方法，其特征在于，将所述加热设备的温度分多段调节至所述第二温度，包括：将所述加热设备的温度分三段调节...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨正杰，蓝国维，孙力，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34